一般用於金屬導線間的介電材質層(Intermetaldielectric)，簡稱為IMD，其規格要求為高可靠度、低應力、製程簡單化、不易吸水和易於與金屬導線間作整合。FSG(氟矽玻璃)係以二氧化矽材料為基礎，再加入氟，以降低電介薄膜的電容值(k)。2/103 名詞解釋 銅製程到底跟一般製程有什麼地方不一樣?隨著線寬的縮小，元件咩...
一般用於金屬導線間的介電材質層(Intermetaldielectric)，簡稱為IMD，其規格要求為高可靠度、低應力、製程簡單化、不易吸水和易於與金屬導線間作整合。FSG(氟矽玻璃)係以二氧化矽材料為基礎，再加入氟，以降低電介薄膜的電容值(k)。2/103 名詞解釋 銅製程到底跟一般製程有什麼地方不一樣?隨著線寬的縮小，元件咩...
因此,具有低介電常數(low k)材質(可分為無機類及有機類聚合物)的研究,就成為主要的發展趨勢。,名詞解釋,Cu / low-k is the well-known solution to reduce signal delay 4、 and improve electrical performance for advanced IC. But the mechanical properties of Cu /low-k are poorer than Al/Si ...