Low-k层和金属线路的放大照片 只出现很微小的崩裂和薄膜剥落现象。 设备 追求加工精度和操作便利性 由于在适用于300 mm晶片的全自动激光切割机DEL7160上采用了非发热加工方式即短脉冲激光切割技术,来去除切割道上的Low-k膜及铜等金属布线,所以能够在开槽加工过程中更大限度地排除因发热所产生的影响。另外,在该设备...
Low-k(低介电常数)膜所使用的涂布工艺:在某些情况下,需要将薄膜材料溶解在有机溶剂中,然后涂覆来形成薄膜,这就是涂布工艺。 为什么要使用涂布工艺:半导体的前段制程中使用涂布工艺,即旋涂工艺(Spin Coat…
在半导体中,表面氧化通常是指半导体表面的氧化物薄膜。表面氧化具有以下特性: 1.提高电阻:氧化物薄膜具有较高的电阻,可以降低半导体的导电性能。 2.增强介质效应:氧化物薄膜具有较高的介电常数,可以增强半导体的介质效应。 【低 k 层和表面氧化的关系】 低k 层和表面氧化在半导体中具有密切的关系。一方面,低 k ...
除了涂布工艺外,Cu/Low-k在成膜的过程中面临挑战是Cu/Low-k成膜,这种低k膜的结构是SiN膜、low-k膜和Cap膜的层叠膜。SiN膜和Cap膜在防止Cu的扩散方面发挥作用,由于,SiN膜和Cap膜的介电常数高于Low-k膜的介电常数,因此在设计总介电常数时必须考虑这种层叠结构。在45nm节点之后,需要k值小于2.5的薄膜,只能通过...
15、1.本实用新型提供一种晶圆low-k膜激光开槽设备,该装置中胶水经滴胶盘上的滴胶头向下滴在晶圆表面,若干较小的胶水在晶圆表面形成很多小点,旋转电机转动带动固定连接轴转动,带动胶水收集盆转动,带动三足支撑架转动,带动支撑连接块转动,带动固定转盘转动,带动晶圆转动,晶圆表面密布的细小胶水点在离心力的作用下很容易...
寻找和开发新的低k材料作为介质已是技术关键。 传统介质材料SiO2已不能满足提高集成电路性能的需要。ULSI用的新介电材料不仅要有低介电常数,还要具备的特征包括:足够高的击穿电压(达4MV/cm)、高杨氏模量、高机械强度、热稳定性好(达450℃)、足够低的漏电流(1MV/cm时低于10-9)、低吸湿性、薄膜应力小、热膨胀...
Low-k膜2例如为具有纳米级的多个气孔的多孔的SiO 2 膜。Low-k膜2优选为具有1μm~10μm左右(例如5μm)的厚度的膜。 更具体而言,在单元图案UP的局部设置有例如利用在硅基板1上形成的Low-k膜2覆盖而成的金属布线3a、在Low-k膜2的上表面形成的薄膜电极3b等的各种芯片构成元件3。另一方面,在切割迹道ST的...
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其二是采用旋压方法(spin-on)将有机聚合物作为绝缘材料用于集成电路工艺。这种方法兼顾了形成低极性网络和高空隙密度两大特点,因而其介电常数可以降到2.6以下[2]。同传统的氧化硅薄膜相比,低k薄膜在机械强度、热稳定性和与其他工艺衔接等方面有很多问题,给工艺技术带来了很大挑战[2]。
采用旋涂法制备出的无机有机复合多孔薄膜,薄膜的介电常数为2.002.56 9,10。对低介电常数材料的研究已经从无空低介电常数材料发展到多孔低介电常数材料,从单一组分的多孔低介电常数材料发展到多组分的复合多孔低介电常数材料。4 low-k技术面临的挑战 尽管low-k材料有许多的技术优势,但除了低介电常数的特性以外,...