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LND150K1-G型号:LND150K1-G 类型:TI/德州仪器 品牌:德州仪器 封装:- 状态:在售 技术手册:查看 立即询价联系我们 电话:0755 82988826 手机:19166208396 Q Q: 3628728973 邮箱:3628728973@qq.com相似产品CSD96497Q5MC VSON-CLIP|12 品牌:德州仪器 / TI/德州仪器 型号:CSD96497Q5MC 立即询价 详情 CSD95485RWJ ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 Microchip、 微芯、 LND150K1、 G 商品图片 商品参数 品牌: Microchip(微芯) 数量: 5000 制造商: Microchip Technology FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 500 V Vgs(最大值): ±20V FET 功能: 耗尽模式 功...
技术参数品牌:MICROCHIP型号:LND150K1-G封装:SOT-23批号:21+数量:58888类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个制造商:Microchip TechnologyFET 类型:N 通道漏源电压(Vdss):500 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):13mA(Tj)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rd
LND150K1-G Datasheet PDF Microchip 7 Pages, 596 KB LND150K1-G Notice File Microchip 2 Pages, 111 KB LND150K1 Datasheet PDF LND150K1-G Datasheet PDF Microchip SOT-23 N-CH 500V 0.013A LND150K1-G Datasheet PDF Supertex Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3Pin SOT-23 Da...
LND150K1-G产品信息 晶体管极性N沟道 电流, Id 连续13mA 漏源电压, Vds500V 在电阻RDS(上)850ohm 电压@ Rds测量0V 阈值电压 Vgs- 功耗Pd360mW 晶体管封装类型TO-236AB 针脚数3引脚 工作温度最高值150°C 产品范围- 汽车质量标准- MSLMSL 1 -无限制 ...
LND150K1-G Mounting Type SMD/Through Hole Description Standard Application Standard Type Standard Series Standard Features Standard Manufacturing Date Code New Date Code Product Integrated Circuit Part Number LND150K1-G Condition Brand New Date Code D/C Contact us Package SMD or Through Hole Lead tim...
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