摘要:驱动和控制外部背对背n沟道mosfet模拟理想的二极管整流器。 德州仪器LM74912-Q1理想二极管控制器驱动和控制外部背靠背n沟道mosfet。该功能是为了模拟一个理想的二极管整流器,具有电源路径开/关控制,过压,欠压和输出短路保护。3V至65V的宽输入电源允许保护和控制12V和24V汽车电池供电的ecu。该设备可以保护和承受负电源...
德州仪器LM74912-Q1理想二极管控制器驱动和控制外部背靠背n沟道mosfet。该功能是为了模拟一个理想的二极管整流器,具有电源路径开/关控制,过压,欠压和输出短路保护。3V至65V的宽输入电源允许保护和控制12V和24V汽车电池供电的ecu。该设备可以保护和承受负电源电压低至-65V的负载。集成的理想二极管控制器(DGATE)驱动第一...
德州仪器LM74912-Q1现实二极管控制器驱动和操纵内部面对面n沟道mosfet。该性能是为了模仿一个现实的二极管整流器,拥有电源门路开/关操纵,过压,欠压和输入短路维护。3V至65V的宽输出电源同意维护和操纵12V和24V汽车电池供电的ecu。该设置装备摆设能够维护和经受负电源电抬高至-65V的负载。集成的现实二极管控制器(DGATE)...
摘要:旨在快速轻松地演示LM74912-Q1理想二极管控制器的操作。 德州仪器LM74912Q1EVM评估模块旨在快速轻松地演示LM74912-Q1理想二极管控制器在24引脚VQFN封装中的操作。LM74912-Q1理想二极管控制器驱动和控制外部背对背n沟道mosfet,以模拟具有过电流和过压保护的电源路径ON/OFF控制的理想二极管整流器。TI LM74912Q1EVM评估模...
德州仪器LM74912Q1EVM评价模块旨在倏地轻松地演示LM74912-Q1现实二极管控制器在24引脚VQFN封装中的操纵。LM74912-Q1现实二极管控制器驱动和操纵内部背对背n沟道mosfet,以模仿拥有过电流和过压维护的电源门路ON/OFF操纵的现实二极管整流器。TI LM74912Q1EVM评价模块拥有3V至65V的输出局限。
TI(德州仪器) 商品型号 LM74912QRGERQ1 商品编号 C34779753 商品封装 VQFN-24-EP(4x4) 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录功率电子开关 类型理想二极管 属性参数值 工作电压3V~65V 梯度价格 梯度
LM74912QRGERQ1 相关器件 型号 制造商 描述 价格 文档 LM74930-Q1 TI 具有断路器和过压保护功能的汽车类 3V 至 65V 浪涌抑制器 获取价格 LM74930QRGERQ1 TI 具有断路器和过压保护功能的汽车类 3V 至 65V 浪涌抑制器 | RGE | 24 | -40 to 125 获取价格 LM74A NSC SPI/MICROWIRE 12-Bit Plus ...
Part Number:LM74912-Q1 各位专家: 我们在使用LM74912设计时,遇到了以下问题,会导致工作异常,具体描述如下; 我们面是继电器作为总的开关,在初始上电时,因为外设启动电流大的问题以及继电器闭合时产生的震荡,进而导致输入电源是存在多个上下电波谷,最低为15V左右。
TI 的 LM74912-Q1 為 具有整合式過電壓與短路保護和故障輸出的車用理想二極體。尋找參數、訂購和品質資訊
www.ti.com Application Brief Enabling Ultra Low Quiescent Current Through LM74912- Q1 Sleep Mode While Powering Always On Loads Abhijeet Godbole, Saksham Sangwan Introduction With the increase in demand for more feature-rich infotainment and ADAS subsystems in automotive applications, the complexity ...