LM74722-Q1 ZHCSLG2B –SEPTEMBER 2021 –REVISED AUGUST 2022 LM74722-Q1 具有200kHz 有源整流和负载突降保护功能的汽车类低IQ 理想二 极管控制器 1 特性 3 说明 • 具有符合AEC-Q100 标准的下列特性 LM74722-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背 对背N 沟道MOSFET,从而模拟具有电源路径开/...
LM74722-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可...
Part Number:LM74722-Q1 Other Parts Discussed in Thread:LM7472EVM,LM74720-Q1,LM74502H-Q1,LM74502H Hi Expert, Our customer is looking for device replacing AUIR3242S. Actually I provide LM7472EVM to them for testing. They use our EVM to drive 6pcs NVMTS0D6...
I need help for LM74722-Q1 short circuit protection, application is to drive the HSD outputs. Am facing an issue when HSD output is in short circuit condition. Power for HSD is controlled from LM74722. When the HSD output is in short circuit mode LM74722 is damaged, ...
可以使用 tGATE_ON(DLY)参数估算 LM74722-Q1的栅极驱动强度、如下所示。 tGATE_ON(DLY)可被视为 tDELAY+ tRISE 之和 根据上表、10nF 栅极电容的总栅极导通延迟为0.8us、而30nF 电容为1.1us。 根据该数据、 tDELAY估计约为0.65us。 使用此数据、您可以计算给定 CIS 的 FET 总数 ...
型号:LM74722QDRRRQ1 原装品牌:TI 封装:SON12 年份:22➕ 价格:10.0 #TI #SON #原装 #华强北 #芯片 - 伟芯科技于20241224发布在抖音,已经收获了0个喜欢,来抖音,记录美好生活!
LM74722-Q1 데이터 시트 지금 주문 제품 상세 정보 Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.032 Iq (max)...
批号 22+23+ 数量 9000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -20C 最大工作温度 100C 最小电源电压 5V 最大电源电压 9.5V 长度 3.7mm 宽度 5.3mm 高度 1.3mm 可售卖地 全国 型号 LM74722QDRRRQ1 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发...
ADAS domain controller – Premium audio amplifier – Head unit VBA TT 12 V Q1 VOUT 3 Description The LM74722-Q1 ideal diode controller drives and controls external back-to-back N-Channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON and OFF control and overvoltage protection...
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