Part Number:LM74610-Q1 如下图1-1所示的电路图,我们在VBAT处接电池,电池电压为25.43V,发现VIN处有电压为24.08V,VBAT处的电压倒灌到了输入端。此时N_MOS的栅极G极电压为23.92V,怎么解决VBAT的电压倒灌到输入端VIN这个问题呢?VIN处的24.08V电压带3mA的负载都带不起来。 图1-1 HI 功能上防反灌入,是指输入...
LM74610-Q1是一款控制器器件,可与N沟道MOSFET一同用于反极性保护电路。其设计用于驱动外部MOSFET,串联电源时可模拟理想二极管整流器。该机制的独特优势在于不以接地为参考,因此Iq为零。 LM74610-Q1控制器为外部N沟道MOSFET提供栅极驱动,并配有快速响应内部比较器,可使MOSFET栅极在反极性情况下放电。这种快速降压特性有效...
Product Folder Sample & Buy Technical Documents Tools & Software Support & Community LM74610-Q1 ZHCSE83A – JULY 2015 – REVISED OCTOBER 2015 LM74610-Q1 零 IQ 反极性保护智能二极管控制器 1 特性 •1 符合汽车应用要求 • 具有符合 AEC-Q100 的下列结果: – 超出人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD...
LM74610-Q1 是一款控制器器件,可与 N 沟道 MOSFET 一同用于反极性保护电路。 其设计用于驱动外部 MOSFET,串联电源时可模拟理想二极管整流器。 该机制的独特优势在于不以接地为参考,因此 Iq 为零。 LM74610-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动,并配有快速响应内部比较器,可使 MOSFET 栅极在反极性情况下...
我计划在升压级之前使用 LM74610-Q1、规格如下: 输入电压:12V-24V 输出电压:48V 输入电流:45A 输出电流:13A 在升压输入端、我需要提供反极性保护电路。 根据我所做的研究、智能二极管解决方案看起来是最佳的。 我本来会识别 LM74610-Q1芯片。 我对此有疑问: ...
(工业)–超出人体模型(HBM)静电放电(ESD)分类等级2•传输控制单元(TCU)–器件充电器件模型(CDM)ESD分类等级C4B•电池OR-ing应用•最低反向电压:45V3说说明明•正极引脚无正电压限制LM74610-Q1是一款控制器器件,可与N沟道•适用于外部N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的电荷泵栅极驱动器MOSFET一同...
(工业) 2 • 传输控制单元(TCU) – 器件充电器件模型(CDM) ESD 分类等级C4B • 电池OR-ing 应用 • 最低反向电压:45V • 正极引脚无正电压限制 3 说说明明 • 适用于外部N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 LM74610-Q1 是一款控制器器件,可与N 沟道 (MOSFET) 的电荷泵栅极驱动器 MOSFET 一同...
LM74610-SQEVM 库存编号 3125669 您的零件号: ECAD / MCAD 产品信息 想要查看类似产品?只需在下方选择所需属性并点击按钮× 硅芯制造商: Texas Instruments 硅芯号: LM74610-Q1 套件应用类型: 电源管理 应用系统子类型: 智能二极管控制器 套件内容:
Product Folder Sample & Buy Technical Documents Tools & Software Support & Community LM74610-Q1 ZHCSE83A – JULY 2015 – REVISED OCTOBER 2015 LM74610-Q1 零 IQ 反极性保护智能二极管控制器 1 特性 •1 符合汽车应用要求 • 具有符合 AEC-Q100 的下列结果: – 超出人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD...
LM74610-Q1 產品規格表 立即訂購 產品詳細資料 Vin (min) (V) 0.48 Vin (max) (V) 42 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0 Iq (max) (mA) 0 FET External single FET IGate ...