LM5113-Q1 专为同时驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) FET 或硅质 MOSFET 而设计,适用于汽车 应用。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管,还为高侧和低侧输出分别提供了独立的输入,可实现最大程度的灵活控制。高侧偏置电压在内部被钳位为 5.2V,可防止栅极电压超过增强...
数据: LM5113-Q1 汽车 90V、1.2A/5A 半桥 GaN 驱动器 数据表 (Rev. B) 描述 LM5113-Q1专为同时驱动采用同步降压,升压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓(GaN) FET或硅质MOSFET而设计,适用于汽车应用。此器件具有一个集成于内部的100V自举二极管,还为高侧和低侧输出分别提供了独立的输入,可实现最大...
LM5113-Q1 专为同时驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) FET 或硅质 MOSFET 而设计,适用于汽车 应用。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管,还为高侧和低侧输出分别提供了独立的输入,可实现程度的灵活控制。高侧偏置电压在内部被钳位为 5.2V,可防止栅极电压超过增强模式 ...
当驱动器处于低电平时、输出阻抗将与驱动器相同。 [报价 userid="549979" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1189161/lm5113-q1-off-impedance-during-transistion-time "]最大8ns 是如何确定的? 8ns 是最坏情况下从-40 C 到125 C 的延迟匹...
LM5113-Q1: LM5113-Q1驱动波形异常 Part Number:LM5113-Q1 我们在测试LM5113-Q1的驱动电路时,发现上桥的驱动电压会随着输出电流的大小变化,当输出电流较大时会抬高不少,麻烦看下是什么原因,谢谢。 ... ? ??2 年多前Johnsin Tao Prodigy10points
价格 价格面议 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 LM5113SDX、 LM53600MQDSXTQ1、 LMP2234BMA 商品图片 商品参数 品牌: TI 电源电压: 1 频率: 11 功率: 111 特色服务: - 封装: SOIC-14 批号: 新年份 数量: 5120 商家信息 企业名称:深圳市亚泰...
LM5113-Q1 专为同时驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) FET 或硅质 MOSFET 而设计,适用于汽车 应用。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管,还为高侧和低侧输出分别提供了独立的输入,可实现最大程度的灵活控制。高侧偏置电压在内部被钳位为 5.2V,可防止栅极电压超过增强...