Part #LM5109B-Q1 DownloadLM5109B-Q1Download File Size755.51 Kbytes Page22 Pages ManufacturerTI [Texas Instruments] Direct Linkhttp://www.ti.com Logo DescriptionHighVoltage1-APeakHalfBridgeGateDriver Similar Part No. - LM5109B-Q1 ManufacturerPart #DatasheetDescription ...
数据: LM5109B-Q1 高电压 1A 峰值半桥栅极驱动器 数据表 (Rev. A) 描述 LM5109B-Q1是一款具有成本效益的高电压栅极驱动器,设计用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧N沟道MOSFET。悬空高侧驱动器能够在高达90V的电源轨电压下工作。输出通过兼容TTL /CMOS的逻辑输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时...
关于半桥驱动IC LM5109B-Q1规格书中一些疑问 一、关于输入电平特性疑问 从规格书数据表格中对输入高低电平的描述看,似乎电平以1.8V为分界点区分高低电平,不像DSP或其他ic类似输入低电平最大0.8,输入高电平2.4V,高低电平直接有一定电压间隙,这样的话,5109如何在1.8V左右的输入电平中提供抗干扰能力? 二、关于驱动输出...
关于半桥驱动IC LM5109B-Q1规格书中一些疑问 一、关于输入电平特性疑问 从规格书数据表格中对输入高低电平的描述看,似乎电平以1.8V为分界点区分高低电平,不像DSP或其他ic类似输入低电平最大0.8,输入高电平2.4V,高低电平直接有一定电压间隙,这样的话,5109如何在1.8V左右的输入电平中提供抗干扰能力?
LM5109B-Q1 是一款具有成本效益的高电压栅极驱动器,设计用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。悬空高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过兼容 TTL/CMOS 的逻辑输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性,并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱...
LM5109B-Q1 High Voltage 1-A Peak Half Bridge Gate Driver 1 Features 3 Description The LM5109B-Q1 is a cost effective, high voltage 1 • • Qualified for Automotive Applications gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-Channel MOSFETs in a synchronous...
型号 LM5109BQNGTTQ1 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价...
TI’s LM5109B-Q1 is a Automotive 1-A, 100-V half bridge gate driver with 8-V UVLO and high noise immunity. Find parameters, ordering and quality information
系列: LM5109B-Q1 资格: AEC-Q100 工作温度范围: - 40 C to + 125 C 关闭: Shutdown 单位重量: 11 mg 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。
TI 的 LM5109B-Q1 為 具有 8-V UVLO 和高雜訊抗擾度的汽車 1-A、100-V 半橋式閘極驅動器。尋找參數、訂購和品質資訊