Oring输入电压稳态是32V，负载电流在6A左右。其中该Oring设计是有问题的，采样反馈的电压选择了Oring的输出VO+了，实际上应该是要反馈Oring的IN电压。但是为什么会造成LM5050严重烧毁，也即LM5050的 IN或GATE或OUT对GND短路，感觉原理上还是未理解清楚。HI
系列 LM5050-1-Q1 工作电源电压 5 V to 75 V 单位重量 36 mg 可售卖地 全国 型号 LM5050Q1MKX-1/NOPB 技术参数 品牌: TI(德州仪器) 型号: LM5050Q1MKX-1/NOPB 数量: 5000 制造商: Texas Instruments 产品种类: 热交换电压控制器 RoHS: 是 电源电压-最大: 75 V 电源电压-最小: 5 V 工作...
器件型号:LM5050-1-Q1 您好! 我使用电路 LM5050Q1MK-1来驱动 MOSFET SQM85N15-19、如下所示。 电路无法 正常工作。 MOSFET VGS 上的电压约为4V。 该电压不足以驱动 MOSFET。 因此损耗很高。 在LM5050Q1的数据表中、输出电压应介于9V 至14V 之间。 您对此问题有什么看法吗? ...
系列 LM5050-1-Q1 工作电源电压 5 V to 75 V 单位重量 36 mg 可售卖地 全国 型号 LM5050Q1MKX-1/NOPB 简介 深圳市远大金宁电子有限公司是一家专业的电子元器件代理商/现货销售商/ 分销商 , 公司设立国外采购部为客户面向全世界进行购 致力于世界著名电子产品在国内外的推广与销售 , 是一家具有...
LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作,当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器,从而降低功率损耗和压降。 LM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动,以在电流反向流动时关断 FET。
TI 的 LM5050-1-Q1 為 車用 5-V 至 75-V 400-uA IQ ORing FET 控制器。尋找參數、訂購和品質資訊
LM5050Q1MK-1/NOPB 概述 汽车类 5V 至 75V、400uA IQ ORing FET 控制器 | DDC | 6 | -40 to 125 电源器件 MOSFET 驱动器 LM5050Q1MK-1/NOPB 规格参数 是否无铅: 不含铅 是否Rohs认证: 符合 生命周期: Active 包装说明: TSSOP, TSOP6,.11,37 Reach Compliance Code: compliant ECCN代码: EAR99 ...
型号 LM5050Q1MK-1/NOPB 技术参数 品牌: TI/德州仪器 型号: LM5050Q1MK-1/NOPB 封装: NA 批号: 21+ 数量: 15000 类别: 集成电路(IC) PMIC - OR 控制器,理想二极管 制造商: Texas Instruments 系列: Automotive, AEC-Q100 Product Status: 在售 FET 类型: N 通道 比率- 输入:输出: N:1 内部开关...
TI’s LM5050-1-Q1 is a Automotive, 5-V to 75-V 400-uA IQ ORing FET controller. Find parameters, ordering and quality information
系列: LM5050-1 工作电源电压: 5 V to 75 V 单位重量: 36 mg 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字...