LLNL的BAT激光技术无疑为半导体制造业的未来描绘了一幅充满希望的蓝图。尽管其实际应用还需时日，但这一技术的出现已经为行业带来了前所未有的变革和机遇。我们有理由相信，在不久的将来，更高效、更节能的芯片生产技术将成为现实，为人类的科技进步和经济发展注入新的活力。让我们共同期待这一天的到来！
劳伦斯利弗莫尔国家实验室(Lawrence Livermore National Laboratory,LLNL)获得1600万美元资助,其IFE中心被称为STARFIRE,项目合作伙伴包括General Atomic、Xcimer Energy、Focused Energy、Longview Fusion Energy Systems。 一、基本概况 劳伦斯利弗莫尔国家实验室(Lawrence Livermore National Laboratory,LLNL),成立于1952年,现有...
美国LLNL研发新型铥激光技术,有望变革芯片制造 美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)正在开展一项具有颠覆性潜力的研究,旨在重塑半导体制造行业。其核心是一种基于铥元素的拍瓦(petawatt)级激光技术(BAT),该技术有望成为极紫外光刻(EUV)技术中二氧化碳激光器的重要替代方案,并将光源效率提升约十倍。 极紫外光刻技术是目前...
LLNL的单次曝光法是一种用于在辐射计中获取目标图像的方法。该方法基于单次曝光获取图像,因此可以在短时间内获取大量数据,从而提高了图像的分辨率和速度。 在LLNL的单次曝光法中,辐射计通过将目标图像转换为数字信号来获取图像。这些数字信号被存储在计算机中,并使用特定的算法进行处理,以生成高质量的图像。 LLNL的单...
LLNL开发出4D打印硅胶形状记忆材料 劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)开发的3D打印复合硅胶材料具有灵活、可拉伸的特性,并有形状记忆行为,通过在硅胶油墨中添加空心气体填充的“微气球”,LLNL创造了可以通过温度变化"编程"的材料,其优点是结构轻便且保证了使用人员对材料形状的更大控制。
LLNL 觉得这技术能为新一代 “超越 EUV” 的光刻系统铺平道路，以后就能生产出更小、更强大、制造速度更快还更省电的芯片了。要是真能实现，那可就厉害了。但理想很丰满，现实很骨感。把这 BAT 技术应用到半导体生产，可不是一件容易的事，需要克服重大基础设施改造带来的挑战。现在的 EUV 光刻系统可是经过几...
为了应对这种情况，LLNL和阿斯利康的研究人员开始了一项任务，即先发制人地提高抗体的有效性。他们的方法始于深度突变扫描，这是一种模拟数千种可能的病毒突变以识别抗体结合能力中潜在弱点的技术。科学家发现，病毒刺突蛋白某些位置的特定突变显著降低了AZD3152的中和能力。为了解决这些漏洞，研究人员采用了作为GUIDE计划一...
据外媒报道,劳伦斯利弗莫尔国家实验室(Lawrence Livermore National Laboratory,LLNL)研究团队开发出新工艺微波体积增材制造(Microwave Volumetric Additive Manufacturing,MVAM),即引入一种创新的3D打印新方法,使用微波能量固化材料,为比以往更广泛的材料打开了大门。
作为全球领先的3D打印增材制造研究中心之一,LLNL配有三个3D打印实验室,这些实验室所从事的是具有前沿探索以及商业化转化价值的研究。就在前不久美国能源部拨款220万美元给LLNL国家实验室用于3D打印太阳能跟踪器的研究(点击这里观看LLNL 3D打印实验室视频)。
生成数据之后我们可以用LLNL的visit软件查看一下,二维矢量图包含两个数据分别对应两个方向,即名为b1和b2的数据模块名称,数据以hdf5的格式和“*.h5”的后缀名保存。 下面我们来创建涡旋矢量图,需要用到visit的DefineVectorExpression,参考教程链接: https://visit-sphinx-github-user-manual.readthedocs.io/en/develop/...