利用卷绕式PECVD(等离子体辅助化学气相沉积)设备在25μm厚的聚酰亚胺衬底上连续沉积a-Si/a-SiGe双结电池,解决了设备中不同反应腔室的氢气隔离问题,优化了薄膜沉积的工艺条件,将薄膜的不均匀性控制在5%以内.采用激光划线和丝网印刷研制高电压集成组件,并用层压的方法获得适用于临近空间环境的组件.通过优化电池结构,研制...