SU-8 系列光刻胶是 UV-LIGA 工艺常用的光刻胶,它是一种负性、环氧树脂型、近 紫外线光刻胶,适于制作超厚、高深宽比的 MEMS 微结构。SU-8 胶在近紫外光范围内 光吸收度低, 故整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致, 可得到具有垂直侧壁和高深宽 比的厚膜图形。由于它具有较多优点, 因此逐渐应用于 MEMS...
mems_su8 LIGA UV-LIGA工艺技术 硅微机械加工技术 SU-8负胶在MEMS中的应用 微机械加工技术 秦明 SU-8的特点 •低成本负胶可用于MEMS•相对简单的制作工艺•厚度变化范围大–7500A-450um•电镀金属等可以形成各种结构•坚膜后的胶可以作为阻挡层用于90°C的KOH、FeCl3溶液中的腐蚀•可以作为DRIE的阻挡...
8光刻胶的热溶胀性研究杜立群1’ 2,朱神渺2,刘冲2( 1.大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁大连116024;2.大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁大连116024)摘要:对SU -8胶的热溶胀效应及其机理进行了研究,在现有微模具的U V-LIG A工艺的基础上,利用AN —SYS对SU 一8胶的热溶胀...
近年来，国内新兴技术采用了SU-8负型胶代替PMMA正胶作为光敏材料，以缩短曝光时间和提高加工效率，成为LIGA技术的创新方向。然而，LIGA技术所需的昂贵X射线光源和复杂掩模板导致高工艺成本，限制了其工业应用。因此，出现了一系列使用低成本光源和/或掩模制造工艺的新型加工技术，统称为准LIGA技术或LIGA-like...
进行批量生产。LIGA的缺点：（1）成本昂贵（X光源需要昂贵的加速器）（2）用于X光光刻的掩膜板本身就是3D微结构，复杂，周期长 二、准LIGA技术1.UV-LIGA 紫外光源对光刻胶曝光,光源来自于汞灯,所用的掩膜板是简单的铬掩膜板。其原理步骤如图所示。对于UVLIGA适用光刻胶较多的是SU-8胶 常规紫外光 ...
改性SU8光刻胶的光学特性及其工艺 热度: UV-LIGA中光源波长和曝光量对SU-8光刻胶微结构的影响,UV-LIGA中光源波长和曝光量对SU-8光刻胶微结构的影响,光刻胶,负性光刻胶,光刻胶成分,su8光刻胶,安智光刻胶,紫外光刻胶,正性光刻胶,az光刻胶,光刻胶 02专项,...
超声处理对UV-LIGA工艺中SU-8胶溶胀的影响
LIGA的独特价值在于使用深X射线光刻技术（DXRL）获得的精度，可以在各种材料中制造出高宽比和高精度的微结构。许多LIGA从业人员和用户与同步辐射设施有关，或位于这些设施附近。UV LIGA则利用廉价的紫外线光源（如汞灯）来曝光聚合物光刻胶（如SU-8）。尽管紫外线LIGA的制造成本较低，但其在生产精密...
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8)对曝光后的SU-8胶进行后烘热处理,得到交联的SU-8胶结构;; 9)显影,得到光刻胶图形,对高深宽比阴图形要使用兆声显影设备。 表1:不同厚度SU8光刻工艺参数 厚度[μm] 光刻胶 甩胶速率[rpm] 前烘时间[min] 曝光时间[sec] 后烘时间[min] 显影时间[min] 65℃ 95℃ 65℃ 95℃ 50 SU-8 50 1900 ...