剥离工艺（lift-off）是在衬底上用光刻工艺获得图案化的光刻胶结构或者金属等掩膜（shadow mask），利用镀膜工艺在掩膜上镀上目标涂层，再利用去胶液（又称剥离液）溶解光刻胶或者机械去除金属硬掩膜的方式获得与图案一致的目标图形结构。具体工艺 基片经过涂覆光致抗蚀剂、曝光、显影后，以具有一定图形的光致抗蚀剂...
Lift off工艺是什么?Lift off工艺是晶圆厂中的常见工艺,它是制作金属互连、导线和其他结构时的一种替代光刻和蚀刻过程的方法。见下图:上图是一个典型的Lift off工艺,工艺步骤为:1,准备晶圆基板2,做光刻图形:在晶圆上涂覆一层光刻胶。接着进行光刻过程,利用掩膜版曝光光刻胶,然后...
所谓Lift-Off工艺,即揭开一剥离工艺,是一种集成电路工艺,可以用来省略刻蚀步骤。 图1、普通光刻工艺示意图 我们先来看一下普通的光刻工艺(如图1所示):首先进行成膜,然后将涂布在基板上的光刻胶进行图形化曝光,显影除去曝光的光刻胶,接着进行刻蚀,最后将剩余光刻胶剥离,留在基板上的就是需要的成膜图形。 图2、...
Lift-off工艺,晶圆制造业的一项常用技术,为电子与半导体领域的发展贡献着重要力量。这项技术是在晶圆厂制作金属互连、导线以及其他重要结构时的一个关键工序,与传统的光刻和蚀刻工艺相比,它提供了一种更加高效和精确的方法。 Lift off工艺的奥秘 在解释Lift off工艺之前,我们得先了解一下传统的半导体制造流程。传统方法...
双层光刻胶lift-off工艺是一种微纳加工技术,通过特定的光刻胶结构实现目标材料的图案化。其基本原理如下: 1. 双层光刻胶结构:通常包括底层不感光的剥离层(如LOR或LOL胶)和顶层的常规紫外正胶或负胶。底层胶对紫外光不敏感,但会在显影液中随时间延长而溶解,从而在后续过程中形成底切(under-cut)结构。 2. ...
Lift-Off工艺是一种集成电路工艺，其核心在于省略刻蚀步骤，简化生产流程，有效降低生产成本。常规光刻工艺流程（图1）包括成膜、图形化曝光、显影、刻蚀及剥离等步骤，最终在基板上形成所需的成膜图形。对比之下，Lift-Off工艺（图2）流程有所调整，首先进行图形化曝光与显影，去除曝光的光刻胶，随后进行...
旋涂完光刻胶的衬底在经过曝光、显影得到图案化的光刻胶结构后,使用镀膜工艺在衬底与光刻胶上,镀上一层所需薄膜,再用去胶液(剥离液)或者机械法去除衬底上的光刻胶与光刻胶上的薄膜,最终在衬底上得到与光刻图形一致的薄膜镀层,这一剥离光刻胶保留下所需薄膜镀层的过程
概念：剥离工艺（lift-off）是在衬底上用光刻工艺获得图案化的光刻胶结构或者金属等掩膜，利用镀膜工艺在掩膜上镀上目标涂层，再利用去胶液（又称剥离液）溶解光刻胶或者机械去除金属硬掩膜的方式获得与图案一致的目标图形结构。具体工艺：基片经过涂覆光致抗蚀剂、曝光、显影后，以具有一定图形的光致抗...
选择合适的溶剂对Lift-off工艺至关重要。溶剂应具有高度选择性，避免损伤基底与金属薄膜。光刻胶的黏附性、耐蚀性、光刻性等特性也对工艺实施至关重要。光刻胶需在不同材料层间有良好粘附性，确保Lift-off过程中金属薄膜从基底上剥离。光刻胶温度也是影响Lift-off工艺的关键因素。坚膜步骤在光刻胶产品...