我正好也在做GGA+U的计算。LDA+U和GGA+U就是赝势的区别，+U的设置都是一样的
请高手给出CASTEP在优化基础上计算性质中GGA＋U和LDA＋U的区别，我被搞糊涂了
表面的话,LDA计算得到的Surface cell能量会比实际的要大一些,表面能就偏大,而GGA则计算得到表面结构的总能量会比实际要小(GGA更喜欢这样子的体系),而Bulk,GGA又偏 大,因此计算得到的表面能总是偏小很多,因此GGA倾向于让晶体形成表面,这样子density gradient就会变大,Exc就会更小,体系能量就会更低。LDA相反,LDA...
性上看,LDA 的计算结果和GGA 的结果是一致的,区别在于上面提到的能隙的大小以及态密度的大小。 态密度图实际上是能带图上各个态在以能量为横坐标上的投影,因此从能带图上也可以看到相同的规律。 通过与之前报道过的LiAlH 4 [28] ,NaAlH 4 [29]
第二个困惑的点在于GW+U计算,U值通常作为一种对于d电子或者f电子的排斥能的考虑,同一原子自旋相反的局域电子的库仑排斥能,这里需要去看一下公式理解下,是同一轨道的,还是轨道间都有的。回顾一下说法,KS方程总共有四项,动能,势能,Hatree项,交换关联项。这里我们平常讨论的GGA和LDA泛函主要说的就是为了搞出交换关联...
LDA/GGA+U加U主要是针对含d电子的过渡金属氧化物,包含非满层f轨道的元素等,高温超导体强关联体系。3dElements U(Ry) V 0.25 Cr 0.26 Mn 0.28 Fe 0.3 Co 0.31 Ni 0.31 4dElements U(Ry) Nb 0.19 Mo 0.2 Tc 0.21 Ru 0.22 Rh 0.25 Pd 0.29 5dElements U(Ry) Ta 0.19 W 0.20 Re 0.205 Os 0.2 Ir...
GGA LDA 1.石墨烯对光的线性吸收 当光照射在石墨烯上,价带的电子吸收光子的能量被激励至导带上。单层石墨烯的光电导率依赖于精细结构常数α: 其中,e是电子电荷, c是光速。单层悬空石墨烯的线性透射率为: 所以单层石墨烯对光的吸收率为2.3%,而在可见光区域,单层石墨烯的反射率要小于0.1%,10层石墨烯的反射率...
加以修正。LDA/GGA+U加加U主要是针对主要是针对:含含d电子的过渡金属氧化物,包含非满层电子的过渡金属氧化物,包含非满层f轨道的轨道的元素等,高温超导体强 7、关联体系。元素等,高温超导体强关联体系。Species U(Ry) NiO 8.0CoO 7.8 FeO 6.8 MnO 6.9 VO 6.7 TiO 6.6 3d Elements U(Ry) V 0.25 Cr ...
CASTEP模块中，LDA+U和GGA+U有没有本质区别？ 为什么要加U呢？具体涉及过渡金属掺杂半导体的模拟。