LDA+U核心思想是:首先将研究体系的轨道分隔成两个子体系(subsystem),其中一部分是一般的DFT算法(如LSDA,GGA)等可以比 较准确描述的体系,另外是定域在原子周围的轨道如d或者f轨道,这些轨道在标准的DFT计算下不能获得正确的能量与占据数之间的关系(如DFT总是认为分 数占据是能量最小的,而不是整数占据);对于d或者...
LDA+U核心思想是:首先将研究体系的轨道分隔成两个子体系(subsystem),其中一部分是一般的DFT算法(如LSDA,GGA)等可以比 较准确描述的体系,另外是定域在原子周围的轨道如d或者f轨道,这些轨道在标准的DFT计算下不能获得正确的能量与占据数之间的关系(如DFT总是认为分 数占据是能量最小的,而不是整数占据);对于d或者...
用未经校正的 GGA 方法计算出的带隙大小，硅为 0.72 eV（实验值为 1.12 eV），砷化镓为 0.37 eV（实验值为 1.42 eV）。这些结果与一般未校正 DFT 的预测值几乎相同。众所周知，这是由密度泛函方法[1][2]的缺点导致的，而 LDA+U [3]就是一种能改善这一缺点的方法。在 LDA+U 方法中，当应用轨道...
Originally posted byfzx2008at 2010-10-08 13:49:29:DFT+U包括LDA+U和GGA+U 一般也或者只讲LDA+U...
H = T + Vee + Vext其中:T:是电子的动能算符,通常表示为动能的总和。在密度泛函理论(DFT)中,动能算符通常用K表示。Vee:是电子之间的相互作用算符,包括库仑排斥作用和交换相关作用。在LDA+U方法中,U和J参数通常被包括在Vee中以考虑电子相关性。Vext:是电子与外部势
CASTEP中的LDA+U的计算,U参数的设置一般主要是针对过渡金属氧化物(Charge transfer type insulator),包含非满层f轨道的元素等,高温超导体强关联体系。在密度泛函理论中加入一个Hubbard模型中的原子占据位(on-site)库伦排斥项,即DFT+U(或者LDA+U)方法。U值可以通过计算得到,也可以找比较可靠的文献通过参考得到。一些...
功率半导体广泛应用于电力系统中高压和大电流的开关设备和逆变器中,具有高耐压特性。半导体的耐压能力取决于价带和导带之间的带隙大小。功率半导体也被称为宽带隙半导体,因为它们的带隙比硅和砷化镓的带隙宽三倍。因此,通过模拟使用半导体进行材料设计时,需要准确估算出带隙,但基于密度泛函理论(DFT)的预测带隙比实验结...
LDA+U通过Hubbard模型来考虑d或f轨道间的关联能，并通过U值来表示这种关联，同时纠正DFT中的双计数部分。U值的计算是一项挑战，可通过线性响应理论进行计算。U值反映了定域轨道电子间的相互作用，计算时需考虑自旋和角动量的影响。计算U值的方法涉及插入单个Slater行列式波函数，通过求期望值并去除重复项，...
用未经校正的 GGA 方法计算出的带隙大小,硅为 0.72 eV(实验值为 1.12 eV),砷化镓为 0.37 eV(实验值为 1.42 eV)。这些结果与一般未校正 DFT 的预测值几乎相同。 众所周知,这是由密度泛函方法[1][2]的缺点导致的,而 LDA+U [3]就是一种能改善这一缺点的方法。
那么就牵扯到计算形成能，金属体系的原子和掺杂状态下原子化学环境也不相同，此时使用DFT+U也很不方便。