图 1. 利用 GGA 方法计算的半导体能带结果（左为硅，右为砷化镓）用未经校正的 GGA 方法计算出的带隙大小，硅为 0.72 eV（实验值为 1.12 eV），砷化镓为 0.37 eV（实验值为 1.42 eV）。这些结果与一般未校正 DFT 的预测值几乎相同。众所周知，这是由密度泛函方法[1][2]的缺点导致的，而 LDA+U [...
图1. 利用 GGA 方法计算的半导体能带结果(左为硅,右为砷化镓)用未经校正的 GGA 方法计算出的带隙大小,硅为 0.72 eV(实验值为 1.12 eV),砷化镓为 0.37 eV(实验值为 1.42 eV)。这些结果与一般未校正 DFT 的预测值几乎相同。 众所周知,这是由密度泛函方法[1][2]的缺点导致的,而 LDA+U [3]就是一种能...
用未经校正的 GGA 方法计算出的带隙大小,硅为 0.72 eV(实验值为 1.12 eV),砷化镓为 0.37 eV(实验值为 1.42 eV)。这些结果与一般未校正 DFT 的预测值几乎相同。 众所周知,这是由密度泛函方法[1][2]的缺点导致的,而 LDA+U [3]就是一种能改善这一缺点的方法。 在LDA+U 方法中,当应用轨道中的两个电...
图1. 利用 GGA 方法计算的半导体能带结果(左为硅,右为砷化镓) 众所周知,这是由密度泛函方法[1][2]的缺点导致的,而 LDA+U [3]就是一种能改善这一缺点的方法。 在LDA+U 方法中,当应用轨道中的两个电子到达同一位置时,它们会被排斥,其能量会因 U 而增加。 在本案例研究中,应用 LDA+U 方法分析了硅和...
LDA+U方法 H = T + Vee + Vext 其中: T:是电子的动能算符,通常表示为动能的总和。在密度泛函理论(DFT)中,动能算符通常用K表示。 Vee:是电子之间的相互作用算符,包括库仑排斥作用和交换相关作用。在LDA+U方法中,U和J参数通常被包括在Vee中以考虑电子相关性。
1.计算给定系统的U值的核心思想是U值取决于局域环境(与其他轨道的杂化以及U的局域屏蔽)。 2.如果存在几种不同类型的原子,所有原子都需要不同的U,则需要在这些不同的原子上添加LDAU_lambda(αI)。 使用Eq.(2),可以直接计算,这些U可以一次计算一个。 使用Eq.(1),必须使用对称性等来获得所有具有U的原子的χ...
LDA+U核心思想是:首先将研究体系的轨道分隔成两个子体系(subsystem),其中一部分是一般的DFT算法(如LSDA,GGA)等可以比 较准确描述的体系,另外是定域在原子周围的轨道如d或者f轨道,这些轨道在标准的DFT计算下不能获得正确的能量与占据数之间的关系(如DFT总是认为分 数占据是能量最小的,而不是整数占据);对于d或者...
LDA+U中U值的计算方法 Yaust发表于材料学和生... FDTD算法思路 FDTD计算域空间节点采用Yee元胞的方法,同时电场和磁场节点空间与时间上都采用交错抽样;把整个计算域划分成包括散射体的总场区以及只有反射波的散射场区,这两个区域是以连接边界相连接,… 我有只二哈 物理中的数值方法之——DMRG方法(2) 修正:2.3中...
此外,建立了Co2+-O2-Mn2+磁路径形成的铁磁有序。此外,计算结果表明,磁矩主要起源于Co/Mn 3d轨道电子,磁矩的大小与Co/Mn原子电子构型有关。因此,通过LDA+U方法获得Co/Mn共掺杂ZnO纳米线的电子结构的真实描述,表明它们具有作为稀磁半导体材料的潜力。 0 3图文导读...
LDA+U通过Hubbard模型来考虑d或f轨道间的关联能，并通过U值来表示这种关联，同时纠正DFT中的双计数部分。U值的计算是一项挑战，可通过线性响应理论进行计算。U值反映了定域轨道电子间的相互作用，计算时需考虑自旋和角动量的影响。计算U值的方法涉及插入单个Slater行列式波函数，通过求期望值并去除重复项，...