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型号: IPD50N06S2L13ATMA2 封装: PG-TO252-3 批号: 22+ 数量: 1000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 55 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 12.7 mOhms Vgs...
型号: IPD50N06S2L13ATMA2 封装: TO-252-3 批号: 22+ 数量: 12276 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 55 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 12.7 mOhms Vgs...
批号 22+ 数量 9370 制造商 Infineon 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 TO-252-3 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 55 V Id-连续漏极电流 50 A Rds On-漏源导通电阻 12.7 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压 ...