KOH刻蚀SiO2流程。 1.清洗基底。 使用去离子水超声波清洗基底,去除表面的颗粒和杂质。 使用RCA法清洗基底,去除基底表面的有机污染物和金属离子。 2.旋涂光刻胶。 在基底上旋涂一层正性光刻胶。 适当调整光刻胶的旋涂速度和时间,以获得所需的胶膜厚度。 3.预烘。 将光刻胶在烘箱中预烘,去除光刻胶中的溶剂...
答案:B。 解:A、浓硫酸和石英的成分二氧化硅不能反应,刻蚀石英制艺术品应用氢氟酸,二氧化硅和氢氟酸反应,故错误; B、硅胶易吸水且无毒,故正确; C、SiO2属于酸性氧化物,只能和强碱反应生成盐和水,不能和浓盐酸反应,故错误; D、硝酸易挥发,挥发的硝酸与二氧化碳通入硅酸钠溶液中,无法证明谁反应,故错误; 故选B。