KM4X60002M-B321 フラッグシップ級のパフォーマンスを実現するための統合 AIと5G時代にふさわしいモバイルデバイスを提供します。 DRAMとNAND型フラッシュメモリがコンパクトな単一パッケージとなり、フラッグシップ級のパフォーマンスを実現します。 LPDDR5 uMCPは、スマートフォン、ウ...
1、KM8F9001MM-B830 LPDDR5 uMCP规格:eStorage 密度:256 GBeStorage 版本:UFS2.2DRAM 密度:96 GbDRAM 类型:LPDDR4X封装:254 FBGA速率:4266Mbps2、KM4X60002M-B321规格:eStorage 密度:32 GBeStorage 版本:eMMC 5.1DRAM 密度:24 GbDRAM 类型:LPDDR4X封装:254 FBGA速率:4266Mbps(供应)(收购)三星存储器 KM8...
三星KM4X60002M-B321优势渠道现货现发 关键词 三星存储,三星存储芯片,存储芯片 面向地区 全国 据韩媒报道,韩国和美国将就三星电子和SK海力士中国半导体工厂制定单的设备引进标准。据悉,美国商务部9日向韩国传达了将为韩国和台湾地区半导体企业制定单的设备进口标准的意向,将适用到对中国半导体设备进口限制延期1年,而不...
KM4X60002M-B321 电子元器件 BGA 资料 规格书 PDF 数据手册 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片...
Size(mm):11.5x13x1.2;Dram(nm):18/18/D1z;emmc(nm):v3 48layer/14/14;Channel:2-ch;Dram Voltage:1.1/0.6v;emmc/ufs Voltage:1.8/3.3v;Place of Origin:origion;Brand Name:Original;Model Number:KMDD60018M-B320;Model Number:KMDX60018M-B425;Model Number:KM4X60002M-
型号:KM4X60002M-B321,品牌:SAMSUNG,批号:24+,封装:FBGA-254,数量:2688,备注:全新原装New and original have in stock
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深圳市宏芯微科技有限公司参与求购存储芯片,KMFN60012B-B214,KMFE60012A-B214,KMQE60013B-B318,KMQX60013A-B419,KMGX6001BA-B514,KM4D6001KM-B217,KM4X60002M-B321,KMDP6001DB-B425,KMDV6001DB-B625,KM3V6001CB-B708,KM5P9001DM-B424,KM2P9001CM-B518,KM2该商品报价,请尽快查看联系。
KM4X60002M-B321 Integrated to bring flagship performance Equip mobile devices for the age of AI and 5G. DRAM and NAND come together in a single compact package to deliver flagship-level performance. LPDDR5 uMCP brings high-bandwidth storage and memory, crucial for the increasingly data-heavy ...
KM4X60002M-B321 플래그십 성능 구현을 위한 결합 AI와 5G 시대에 걸맞도록 모바일 디바이스를 지원합니다. D램과 낸드플래시 메모리가 콤팩트한 단일 패키지로 결합되어 플래그십 수...