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K80E08K3是一款N沟道增强型场效应管,属于电压控制型半导体器件。它具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 三、K80E08K3在逆变器中的应用 逆变器是一种将直流电转换为交流电的装置,...
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K80E08K3是一款由Toshiba Semiconductor制造的N沟道MOS场效应晶体管。其主要参数和特点包括: 封装与规格:采用TO-220封装。 电气特性: 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 7.5 mΩ(典型值),有助于降低功耗。 高正向转移导纳:|Yfs| = 135 S(典型值),反映器件的电流控制能力。 低漏电流:IDSS = 10µA(最大值...