唯样编号A3-K4B4G1646E-BCNB 供货严选 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 D20 256*16 4Gb 1.5V 2133MHz 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 DS_K4B4G1646E-BC_Rev101-0.pdf 参数信息常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了!
属性参数值 商品目录DDR SDRAM 存储器构架(格式)SDRAM DDR3 时钟频率(fc)1.066GHz 存储容量4Gbit 属性参数值 工作电压1.425V~1.575V 工作电流- 刷新电流- 工作温度0℃~+95℃ 数据手册PDF 放大查看下载PDF 梯度价格 梯度 售价 折合1托盘 1+¥11.04
立创商城提供SAMSUNG(三星半导体)的预售新品K4B4G1646E-BCNB000中文资料,PDF数据手册,引脚图,封装规格,价格行情和库存,采购K4B4G1646E-BCNB000上立创商城
HIH-4010-003 HIH4010-003 电子元器件 SIP 数据手册 PDF ¥ 491.00 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: SAMSUNG/三星 封装: BGA 批号: 22+ 数量: 10000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电压: 9V ...
K4B4G1646EBCNB Datasheet. Part #: K4B4G1646E. Datasheet: 1MbKb/71P. Manufacturer: Samsung semiconductor. Description: 4Gb E-die DDR3L SDRAM. 5 Results. Part #: K4B4G1646E-BMK0. Datasheet: 1MbKb/71P. Manufacturer: Samsung semiconductor.
立创商城提供 SAMSUNG(三星半导体) 的 DDR SDRAM K4B4G1646E-BCNB 的PDF数据手册和参考资料,查看 K4B4G1646E-BCNB 数据手册和购买 K4B4G1646E-BCNB 上立创商城。