k3878场效应管参数 K3878场效应管是一款集成芯片,主要用于汽车、工业和家用电子设备的功率放大。它具有可靠性强、低损耗、高效率、宽工作电压范围等优点,从而更好地满足客户对电源放大器的要求。 它的参数如下: 1、电源电压:3.3V-18V 2、输出电压:0.9V-16V 3、输出电流:1A-5A 4、静态电流:<=2mA 5、工作...
1. 栅极阈值电压(Vth):这是指场效应管开始导通所需的最小栅极电压。对于K3878来说,这个值通常在一定的范围内,具体数值可以参考制作工艺和产品规格书。 2. 漏源极间饱和电阻(Rds(on)):在栅极加足够的正向电压使得场效应管导通后,漏极与源极之间的电阻即为Rds(on)。这个值越小,表示场效应管的导电性...
K3878 场效应管是一款常用的 N 沟道增强型 MOSFET。其主要参数如下：它的漏极 - 源极电压（VDS）可达 600V，这意味着该场效应管能够承受较高的电压差，适用于一些对电压要求较高的电路，比如开关电源电路。漏极电流（ID）在 25℃ 时连续值为 9A，脉冲值可达 36A，这表明它能够处理一定大小的电流...
K3878场效应管的参数指标包括：电压参数方面，其漏源极电压（VDS）可达600V，这决定了它能承受的最大电压值，在电路中可适应一定电压范围的工作环境。电流参数上，漏极电流（ID）为9A，这表示该场效应管正常工作时能够通过的电流大小，影响着其带负载能力。功率参数里，耗散功率（PD）是150W，体现了管...
K3878是一款N通道金属氧化物场效应管,带保护二极管的d和s;带保护的g、s双向二极管;其参数为耐压:900V、电流:9A。 Id-连续漏极电流: 9 A Vds-漏源极击穿电压: 900 V Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms 晶体管极性: N-Channel Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V ...
东芝K3878内部结构及参数 基本参数上市时间 2009年,3月处理器 Intel Core2 DuoPenryn T64002.0GHz核心架构 Penryn处理器类型 酷睿2双核处理器最高主频 2000MHz二级缓存 2048KB L2主板芯片组 Intel GM45+ICH9M系统总线 800MHz移动平台 迅驰2平台产品定位 家用,轻便,低价存储设备内存容量 2GB内存类型 DDR2最大支持内存...
K3878场效应管是一款常用的N沟道增强型MOSFET。其主要参数如下：漏源极电压（VDS）可达600V，这意味着它能够承受较高的电压差，适用于一些对电压要求较高的电路，比如开关电源等。栅源极电压（VGS）范围一般在 -20V到 +20V之间，在这个电压范围内，场效应管能正常工作并实现对电流的控制。连续漏极电流...
K3878场效应管是一款常用的N沟道增强型MOSFET。其主要参数如下：漏极-源极电压（VDS）为600V，这意味着它能承受较高的电压，可应用于对电压要求较高的电路中。栅极-源极电压（VGS）范围一般在 -20V到 +20V ，合理的栅极-源极电压是控制场效应管导通与截止的关键。连续漏极电流（ID）在一定条件下...
K2700 场效应管参数 一、引言 K2700 场效应管是一种常见的半导体器件,广泛应用于各种电子设 备中。本文将介绍 K2700 场效应管的相关参数,包括导通电阻、截 止电压、增益、最大功率以及工作温度范围等。 二、导通电阻 导通电阻是指场效应管在导通状态下的电阻大小,一般用来评估场 效应管的导电能力。K2700 场效应...