K15A50D为N沟道场效应管,主要技术参数包括耐压500V和电流15A。在代换时,需要考虑新器件的技术参数是否能满足原器件的要求。以下是一些可能适合代换K15A50D的型号及其主要技术参数: 12N60:同为N沟道场效应管,耐压600V,电流12A。虽然耐压更高,但电流稍低。在电流要求不是非常严格的应用中,12N60可以作为一个备选。
场效应MOS管TK15A50D参数产品简介 PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:15AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA产品详情 STP5NC50是一款高效能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。
全新原装 K15A50D 场效应管N沟道MOS高压管三极管 15A500V TO-220 深圳市伟达能电子有限公司4年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.85 K15A50D 全新 进口 现货 TK15A50D TO-220F MOS场效应管 15A 500V 深圳市跃芯源电子有限公司2年 ...
型号 TK15A50D东芝代理商 MOS管(MOSFET场效应管) 可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密...
部件名K15A50D 下载K15A50D下载 文件大小256.06 Kbytes 页6 Pages 制造商TOSHIBA [Toshiba Semiconductor] 网页http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng 标志 功能描述TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(MOS) 类似零件编号 - K15A50D 制造商部件名数据表功能描述 ...
您好。朋友 k15a50d 不能用20n60代换。希望能帮到您。【摘要】k15a50d 能用20n60代换吗【提问】您好。朋友 k15a50d 不能用20n60代换。希望能帮到您。【回答】希望你能给我个赞，您的赞对我很重要，谢谢。【回答】谢谢！【提问】不客气【回答】希望你能给我个赞，您的赞对我很重要，谢谢...
进口K15A50D 场效应 12A500V三极管NPN 全新 电子元器件 TOSHIBA 进口原装K15A50D场效应12A500V三极管NPN 9999 TOSHIBA -- ￥2.5000元1~-- 个 深圳市嘉丁实业有限公司 2年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 MOS管 TK15A50D-VB TO-220F微碧半导体场效应管电子元器件批量可谈 TK15A50D-VB 99999 ...
描述场效应管LED电源MOS管 K15A50D 查看资料TK15A50D 购买TK15A50D 产品说明 分立功率MOSFET是用于制造AC-DC开关转换器(将交流电压转换成直流电压) 和DC-DC转换器(将一个直流电压等级转换成另一个电压等级) 的必要器件。 东芝正致力于尽可能程度地减少MOSFET损耗以进一步提升MOSFET的性能。因为降低传导和开关损耗...
型号 K15A50D 主营产品: 各种原装进口元器件,包括集成电路,二三极 管,电源IC,IGBT模块,传感器,电阻电容,晶振,光电耦合,SMD,DIP系类… 产品广泛应用于消费 类电子、电脑及周边、网络通讯、电力安防、电源管理、医疗设备及军工产品、通讯仪器、医疗仪器、 音频设备、 视频显示仪器仪表、 通讯系统 、车载电源、 马...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 TK15A50D、 MOS管、 微碧半导体、 场效应管、 电子元器件 商品图片 商品参数 品牌: VBsemi/微碧半导体 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 20A 功率(Pd): 208W 导通电阻: 190mΩ@10V,20A 阈值电压(Vg...