... 8 4.2 热瞬态测试界面法步骤 ... 9 4.2.1 测试原理 ... 9 4.2.2 控温热沉 ...
内容提示: JEDECSTANDARD Transient Dual Interface Test Methodfor the Measurement of the ThermalResistance Junction-to-Case ofSemiconductor Devices with HeatFlow Through a Single Path JESD51-14 NOVEMBER 2010 JEDEC SOLID STATE TECHNOLOGY ASSOCIATION
电子工程设计发展联合会议标准瞬态双界面试验方法电阻连接的热流的半导体器件JESD51-14010年11月月JEDEC固态技术协会
JESD51-14标准翻译 下载积分: 400 内容提示: 一维传热路径下半导体器件结壳热阻瞬态双界面测试法 目录 1. 范围 ... 错误! 未定义书签。 2. 参考标准 ... 错误! 未定义书签。 3. 专业名词及定义 ... 错误! 未定义书签。 4. 结壳热阻测试(测试方法) ... 错误! 未定义书签。 1 ......
JESD51-1将之定义为当半导体器件外壳与热沉良好接触以使其表面温度变化最小时,热源到离芯片峰值区最近的外壳表面的热阻。 MIL833标准中给出的传统热电偶测量方法要求确定结温Tj,壳温Tc以及热耗散功率PH,并且器件外壳与热沉良好接触。结壳热阻采用下式计算: (1) 式(1)中 指的是稳态热阻,因为它是在稳态条件下...
JEDEC标准-JESD51-14.pdf,JEDEC标准JEDEC STANDARD Transient Dual Interface Test Method for the Measurement of the Thermal Resistance Junction-to-Case of Semiconductor Devices with Heat Flow Through a Single Path JESD51-14 NOVEMBER 2010 JEDEC SOLID STATE TE
JESD51-1将之定义为当半导体器件外壳与热沉良好接触以使其表面温度变化最小时,热源到离芯片峰值区最近的外壳表面的热阻。 MIL833标准中给出的传统热电偶测量方法要求确定结温Tj,壳温Tc以及热耗散功率PH,并且器件外壳与热沉良好接触。结壳热阻采用下式计算: (1) 式(1)中 指的是稳态热阻,因为它是在稳态条件下...
一个简单的判断方式,满足JESD51-14标准的设备,大电流切换到小电流一定是1us,为了保证数据的完整性,要用连续变频的采样卡,这就要求设备供应商自己开发电子开关和采样卡,如果供应商提供的信息显示,其设备的采样卡是采购的,那么就可以判断,该采样数据是无法满足JESD 51-14。实际上普通的高频卡确实可以采到微秒级的数...
jesd51-14标准翻译(修改版) 一维传热路径下半导体器件结壳热阻瞬态双界面测试法目录 1. 范围 4 2. 参考标准 5 3. 专业名词及定义 5 4. 结壳热阻测试(测试方法) 5 4.1 瞬态冷却曲线测试(热阻抗ZJC) 5 4.1.1 结温测试 5 4.1.2 瞬态冷却曲线的记录 6 4.1.3 偏移校正 7 4.1.4 ZθJC曲线 8 4.1.5 ...
JESD51-1将之定义为当半导体器件外壳与热沉良好接触以使其表面温度变化最小时,热源到离芯片峰值区最近的外壳表面的热阻。 MIL833标准中给出的传统热电偶测量方法要求确定结温Tj,壳温Tc以及热耗散功率PH,并且器件外壳与热沉良好接触。结壳热阻采用下式计算: (1) 式(1)中 指的是稳态热阻,因为它是在稳态条件下...