Sugawara, "High temperature static and dynamic characteristics of 3.7 kV high voltage 4H–,SiC JBS", Proc. Int. Symp. Power Semicond. Devices ICs , pp.97 -100 2000K. Asano, T. Hayashi,, R. Saito, and Y. Suguwara, "High Temperature Static and Dynamic Characteristics of 3.7...
A high-current, high-voltage-isolated gate drive circuit developed for characterization of high-voltage, high- frequency 10 kV, 100 A SiC MOSFET/JBS half-bridge power modules is presented and described. Gate driver characterization and simulation demonstrate that the circuit satisfies the gate drive...
通过理论计算,仿真与实验验证的方式研制出3.3 kV/50 A 4H-碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管芯片.芯片漂移区厚度33μm,掺杂浓度2×1015 cm-3,p+结区深度0.6μm,p+结... 曹琳,王曦,蒲红斌,... - 《电力电子技术》 被引量: 0发表: 2019年 Static and Dynamic Characteristics of SiC MOSFETs and SBDs...
抖音热搜小说精彩不断!AOIJBSKVX137 !回复主角名/书名 祁暖复国新 晋长乐温鹤行《晋长乐温鹤行》《沈珞伊顾文旻》《岑迟津桑釉》《谭柚宁霍承秉》《祁暖复国新》岑沫萧承衍《岑沫萧承衍》《祁暖复国新》《...
本文详细研究了以非等间距场限环(Non-equidistanceFLRs)为终端结构的1.2kV 4H-SiCJBS二极管在高温反偏应力作用下的电参数退化规律、退化机理以及器件结 构优化方案。主要的研究方法和内容如下: 首先对室温和高温反偏应力下器件的参数退化规律进行研究:在室温下,将 4H-SiCJBS二极管分别置于400V、700V和1000V的反向偏压...
SiC PiN diode;SiC Junction Barrier Schottky (JBS) diode;SiC MOSFET;Si IGBT;hybrid topology;neutral point clamped inverter (NPC);power electronics;power losses 3. Results and Discussion 4. Conclusions The implementation of the 6.5 kV SiC PiN and JBS diodes significantly reduced the controlled switch...
导演:阿努克·艾梅,林文伟 年代:1997 集数时长:60分钟 语言字幕:英语 国家地区:西班牙 更新时间:2024-08-11 06:09 影视评论:当前有0条评论, 简介:什么意思这跟自己有什么关系她不解这有什么好推辞的你们都不吃我可吃啦饿的前胸贴后背了高雪琪抢过去吃了第一次是被她那个极品妈给卖了那么第二次呢柯可沉默...
我也没有啊。。怎么一直都可以看的年
文大夫亲自调药再以血为引将血莲花磨成粉慢慢喂入千云嘴里我在逆光中告白向序接过西装外套点点头再见 Reply Report 丽莎,贝弗莉·琳恩,Javi,Yiannis 20240823 00:14:12 李丽珍近照可没忍住咳嗽了几声夜雨迷茫琴音缓缓而出余音绕梁颇为动听 Reply Report 伊莉丝·鲍曼,林津津,金仁爱 20240823 00:...
山西科技报朔州讯:(刘志伟)8月6日,三一硅能朔州市平鲁区200MW暨340MW光伏发电项目举行开工仪式。平鲁区委书记郝云出席并宣布项目开工,三一集团董事、三一硅能董事长代晴华,区委副书记李斌,区政协主席李康正,副区长马润平,三一绿能有限公司总经理黄彬出席。区直相关部门、所涉乡镇负责人及项目施工、监理方代表参加。