东芝的低IR产品线得益于其结型势垒肖特基(JBS)结构。在JBS二极管中,耗尽区延伸至部分埋在半导体表面下的p和n区之间。这会减少可能存在缺陷的表面上的电场,从而减少漏电流。 肖特基势垒二极管(JBS 结构) 产品列表(参数搜索) 相关...
东芝的低IR产品线得益于其结型势垒肖特基(JBS)结构。在JBS二极管中,耗尽区延伸至部分埋在半导体表面下的p和n区之间。这会减少可能存在缺陷的表面上的电场,从而减少漏电流。 肖特基势垒二极管(JBS 结构) 产品列表(参数搜索) 相关信...
SBD较大的反向漏电流是由金属半导体接触界面的镜像力导致的肖特基势垒降低效应所引起的,且随着反向偏压的增大肖特基势垒降低越严重,JBS便是针对这一问题被设计出的一种新型SBD结构,这种结构直接改善器件的肖特基势垒降低效应而不影响器件正向性能。通过调整JBS元胞结构尺寸、P型区掺杂等条件,利用载流子二维耗尽实现电荷耦合...
其中,JBS(Junction Barrier Schottky)和MPS(Merged PiN Schottky)是两种结构相似但设计方法完全不同的器件。 首先,我们来了解一下JBS器件。JBS器件是一种属于功率半导体器件家族的结构,常被应用于电源、插排和电动车等领域。它的结构非常简单,由PN结和肖特基二极管构成。它的优点在于其低电压降和快速开关速度,可以提高系...
1.本发明涉及jbs碳化硅二极管结构设计技术领域,具体地,涉及一种用于增强可靠性的jbs碳化硅二极管器件结构。 背景技术: 2.sic(碳化硅)由于其禁带宽度是硅原子的3倍,高击穿场强(0.8e16～3e16v/cm),是si的10倍,以及高热导率(4.9w/cmk),约是si的3.2倍,因此,也称为宽禁带半导体材料,在产业界则称为第三代半导体材...
因此势垒层屏蔽了外加电压对肖特基势垒的影响，防止了肖特基势垒降低现象的发生。图1 JBS 结构示意图 3 JBS 结构关键参数 3．1正向特性 正向特性可根据热电子发射理论并结合器件结 作者简介: 唐冬( 1981 －) ，男，辽宁凌海人，学士学位，工程师，主研方向: 肖特基二极管。收稿日期: 2014 －01 －08 ...
本发明主要涉及到功率芯片结构领域,特指一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法。背景技术:作为第三代半导体材料,SiC(碳化硅,一种半导体材料,可用于制作半导体器件和集成电路)具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子漂移速率高、热导率高、化学性质稳定等特点,使SiC基功率器件在高压、高温、高频、大功率、强...
审查员 徐玮 (54)发明名称一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法(57)摘要一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法,该结构包括好的元件和坏的元件,所述好的元件和坏的元件在铜盖和铜底之间采用压接式封装;所述铜盖与好的元件的金属接触层阳极之间通过第一钼片扣合,所述铜底与好的元件阴极...
此外,由于JBS具有较小的通道密度,它比MOSFET具有更高的短路耐受能力。 SiC 沟槽栅MOSFET 硅基的平面栅到沟槽栅,我们可以在碳化硅中看到平面栅和沟槽栅,但由于一些原因,目前只有部分厂家推出了沟槽栅碳化硅MOSFET。下图是沟槽栅MOSFET的示意结构图: 但这个结构并不适合碳化硅MOSFET,首先,在阻塞状态下,在沟槽底部会形成...
绿能芯创取得用于增强可靠性的JBS碳化硅二级管器件结构及制造方法专利 金融界2024年12月4日消息，国家知识产权局信息显示，北京绿能芯创电子科技有限公司取得一项名为“用于增强可靠性的JBS碳化硅二级管器件结构及制造方法”的专利，授权公告号 CN 113658922 B，申请日期为2021年9月。本文源自：金融界 作者：情报员 ...