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首先,j113场效应管属于N-沟道类型,即漏极为电子导电,源极为空穴导电。其次,它是一种耗尽模式场效应管,意味着当栅极电压为零时,漏极和源极之间的电流为零。此外,j113场效应管的工作电压范围较广,可以从3.3V到12V不等。在参数中,漏极电流、栅极漏极电压和源极漏极电压是衡量器件性能的关键指标。 在应用领域...
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j113场效应管参数j113场效应管参数 摘要: 1.场效应管的基本概念 2.场效应管的主要参数 3.场效应管参数的测量方法 4.场效应管参数对性能的影响 5.结论 正文: 一、场效应管的基本概念 场效应管(Field Effect Transistor,简称 FET)是一种半导体器件,是基于半导体材料的电子运动方式而设计的。场效应管是三种主要...
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J113 规格参数 是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合 生命周期:Active零件包装代码:TO-92 包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3 Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.21.00.95 风险等级:5.2Is Samacsys:N 其他特性:LOW INSERTION LOSS配置:SINGLE
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