13.3: A 280-Layer 1Tb 4b/cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb/mm2 Areal Density and a 3.2GB/s High-Speed IO Rate 13.4: A 48GB 16-High 1280GB/s HBM3E DRAM with All-Around Power TSV and a 6-Phase RDQS Scheme for TSV Area Optimization 13.5: A 64Gb/s/pin PAM4 Single-Ended ...
达摩院存算芯片的内存单元采用了异质集成嵌入式DRAM(SeDRAM),拥有超大带宽、超大容量等特点,片上内存带宽可高达37.5GB/s/mm^2。 达摩院存算芯片所使用的SeDRAM就是堆叠嵌入式DRAM(Stacked Embedded DRAM)。 在以往的HBM使用硅中介层(interposer)和微凸块(microbump)来增加逻辑到内存接口的I/O连接数量,以在高数据...
在三星眼中,HBM4E 相较 HBM4 的两大变化是引入 32Gb DRAM 裸片和将每引脚速率提升至 10Gbps:前者可在 16Hi 堆叠时将单堆栈容量扩展至 64GB,而后者意味着 HBM4E 的整体带宽将达 HBM4 的 1.25 倍。下游应用方面,HBM4E 内存有望被英伟达 2027 年推出的 Rubin Ultra AI GPU 采用。Rubin Ultra 支持 12 个 ...