系列 ISO5851 特点 DESAT Protection, Miller Clamp, Power Good, Fault 高度 2.65 mm 绝缘电压 8 kV 长度 10.5 mm 工作温度范围 - 40 C to + 125 C 输出电压 15 V to 30 V 宽度 7.6 mm 湿度敏感性 Yes 工作电源电压 3 V, 5.5 V 单位重量 666 mg 可售卖地 全国 型号 ISO5851DW...
ISO5851 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离栅极驱动器,具有 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 3V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出侧支持的电源电压范围为 15V 至 30V。两路互补 CMOS 输入控制栅极驱动器输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。 内置的...
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是的。 ISO5851可用于驱动1200V SiC MOSFET、具有高隔离额定值、高 CMTI、小传播延迟和高级保护功能。 此致、 熊 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢熊力的快速 回复和支持。
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系列: ISO5851-Q1 资格: AEC-Q100 特点: DESAT Protection, Miller Clamp, Power Good, Fault 工作温度范围: - 40 C to + 125 C 输出电压: 15 V to 30 V 关闭: Shutdown 湿度敏感性: Yes 单位重量: 759 mg 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况...
ISO5851DWR由TI设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过digikey等渠道进行代购。 ISO5851DWR 价格参考¥ 26.42993 。 TI ISO5851DWR 封装/规格: SOIC16, DGTLISO5.7KVGATEDRVR16SOIC。你可以下载 ISO5851DWR 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有隔离式栅极驱动器详细引脚图及功能的应用电路图电...
ISO5851EVM 立即订购 概述 该评估模块采用 ISO5851 增强型隔离式栅极驱动器器件,可让设计人员通过预填充的 1-nF 负载或采用标准 TO-247 或 TO-220 封装的用户安装型 IGBT 来评估器件的交流和直流性能。 特性 带2.5A 拉电流和 5A 灌电流的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器。较短的传播时间可确保精确控制输出级...
型号 ISO5851QDWRQ1 技术参数 品牌: TI厂 型号: ISO5851QDWRQ1 封装: SOIC-16 批号: 2020+ 数量: 4650 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 3V 最大电源电压: 9V 长度: 6mm 宽度: 9.1mm 高度: 2.8mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具...
CMOS 兼容输入。 该评估模块已针对器件功能性进行测试,同时其用户指南可供设计人员用于评估自己的设计。 ISO5851EVM 的说明 该评估模块采用 ISO5851 增强型隔离式栅极驱动器器件,可让设计人员通过预填充的 1-nF 负载或采用标准 TO-247 或 TO-220 封装的用户安装型 IGBT 来评估器件的交流和直流性能。