ISK018NE1LM7是业界首款15 V额定沟槽功率MOSFETs产品系列的一部分,具有2.15 mOhm的极低RDS(on ),同时提供超过500 A的脉冲电流能力,与外壳底部的典型热阻结(RthJC)为1.6 K/W,4 mm2的小型封装可显著节省空间,PCB布局灵活,同时改善了外形尺寸。 产品名称:ISK018NE1LM7AULA1 FET 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化...
无卤素,符合IEC61249-2-21标准 2、ISK018NE1LM7AULA1 OptiMOS™ 7功率MOSFET 15V、PG-VSON-6-1 该器件采用功率MOSFET技术,具有15V创新、无引线、可靠的功率封装。OptiMOS 7在低导通电阻下具有高功率密度和高能效。同时可降低开关损耗,提高SOA 耐用性和高雪崩电流能力,有助于汽车应用的高效系统设计。 应用: ...