IRFTS9342TRPBF Infineon (英飞凌) MOS管 INFINEON IRFTS9342TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.8 A, -30 V, 0.032 ohm, -10 V, -1.3 V查看详情 SOT-23-6 17周 在产 2012年 ¥0.847 数据手册(15) 器件3D模型 规格参数 更多代替型号 反馈错误...
数据表 IRFTS9342TRPBF.pdf RSQ035P03TR.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 功率耗散(最大值) - 1.25W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@5.8A,10V - 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 780pF @ 10V 电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V - 栅极电压Vgs ±20V - 封装/外壳...
数据表 IRFTS9342TRPBF.pdf RSQ035P03TR.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 功率耗散(最大值) - 1.25W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@5.8A,10V - 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 780pF @ 10V 电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V - 栅极电压Vgs ±20V - 封装/外壳...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 IRFTS9342TRPBF、 Infineon、 SOT23、 6 商品图片 商品参数 品牌: Infineon 封装: SOT23-6 批次: 2022+ RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 2V 最大电源电压:...
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IRFTS9342TRPBF 制造商:Infineon Technologies 包装:切割带 (ct) 系列:HEXFET® 零件状态:在售 FET类型:P沟道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):30V 25°C下的电流-连续漏极(ID):5.8A (Ta) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):4.5V, 10V Vgs(th)(最大值)@内径:2.4V @ 25µA...
型号 IRFTS9342TRPBF AO6403 唯样编号 B-IRFTS9342TRPBF-2 A-AO6403 制造商 Infineon Technologies AOS 供应商 富昌电子 唯样自营 分类 功率MOSFET 功率MOSFET 描述 数据表 IRFTS9342TRPBF.pdf AO6403.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 Crss(pF) - 95 Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@5....
型号 IRFTS9342TRPBF AO6403 唯样编号 G-IRFTS9342TRPBF A-AO6403 制造商 Infineon Technologies AOS 供应商 Arrow 唯样自营 分类 功率MOSFET 功率MOSFET 描述 数据表 IRFTS9342TRPBF.pdf AO6403.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 Crss(pF) - 95 Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@5.8A,10...
型号IRFTS9342TRPBFDMP3050LVT-7 唯样编号G-IRFTS9342TRPBFA3-DMP3050LVT-7 制造商Infineon TechnologiesDiodes Incorporated 供应商Arrow唯样自营 分类功率MOSFET功率MOSFET 描述DMP3050LVT: 30 V 50 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26 数据表 ...