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IRF9310TRPBF是一款HEXFET®单P沟道功率MOSFET,用于电池保护、高端和低端负载开关、笔记本电脑电池应用的充电和放电开关。 低RDS(ON)(≤4.6mR)导致低传导损耗 多供应商兼容性的行业标准包 无卤 应用 电源管理,计算机和计算机周边 IRF9310TRPBF中文参数 通道类型 P 晶体管配置 单 最大连续漏极电流 20 A 最大栅源...
IRF9310TRPBF&-9场效应管的工作原理基于其P沟道漏源电压和导通电阻等关键参数。当施加适当的控制电压（Vgs）时，形成沟道，电流从漏极源流向沟道，实现导通。这种控制电流的机制使IRF9310TRPBF&-9在电子电路中发挥关键作用。其工作原理简单而高效，使其在各种应用中广泛受欢迎。实际应用场景① 电源开关：IRF9310TRPBF&...
型号 IRF9310TRPBF 技术参数 品牌: IR 型号: IRF9310TRPBF 封装: SOP-8 批号: 2018+ 数量: 22545 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 20 A Rds On-漏源导通电阻: 6.8 mOhms ...
型号 IRF9310TRPBF 技术参数 品牌: Infineon(英飞凌) 型号: IRF9310TRPBF 封装: NA 批号: 21+ 数量: 2559 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 20 A Rds On-漏源导通电阻: 6.8 ...
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