Infineon(英飞凌)的型号IRF640NSTRLPBF(如有芯片采购或样品测试需求请联系我司)属于场效应管(MOSFET)，采用International Rectifier的第五代HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术，实现每硅面积极低的导通电阻。这种优势，再加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和加固的器件设计，为设计者提供了一种在各种应用中...
IRF640场效应管的引脚图中共有三个引脚,分别为漏极、源极和门极。其中,漏极连接输出端,源极连接地或负电源,而门极用于输入控制信号。 除了IRF640本身,市面上还有很多代换型号可以替代它进行相似的功率放大工作。例如: STP18NM50FP FQPF18N50V2 IRFP250NPBF 这些代换型号的参数与IRF640场效应管类似,都是通用型N...
IRF640NPBF中文参数 通道类型N最大功率耗散150 W 最大连续漏极电流18 A晶体管配置单 最大漏源电压200 V最大栅源电压-20 V、+20 V 封装类型TO-220AB每片芯片元件数目1 安装类型通孔高度8.77mm 引脚数目3系列HEXFET 最大漏源电阻值150 mΩ最低工作温度-55 °C ...
IRF640N价格 参考价格:￥5.7412 型号:IRF640NLPBF 品牌:INTERNATIONAL 备注:这里有IRF640N多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRF640N批发/采购报价,IRF640N行情走势销售排行榜,IRF640N报价。 型号功能描述生产厂家&企业LOGO操作 IRF640N PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.15ohm,Id=18A) Description FifthGe...
IRF640NPBF INFINEON/英飞凌 ￥1.23 IRF640NPBF中文资料规格参数 IRF640NPBF概述 类别:分离式半导体产品 家庭:MOSFET,GaNFET - 单 系列:HEXFET® FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准型 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:150 毫欧 @ 11A, 10V ...
IRF640NL 数据手册 下载PDF IRF640NL 价格&库存 -> 查询更多价格&库存 型号: IRF640NLPBF 品牌: Infineon 封装: TO-262-3 描述: 国内价格 1+ 8.45781 1+ 0 10+ 7.36128 10+ 0 50+ 6.67883 50+ 0 100+ 5.97338 100+ 0 500+ 5.39828 500+ 0 1000+ 5.26025 1000+ 0 库存:323 去购...
描述: IRF640NLPBF - HEXFET® Power MOSFET - International Rectifier 数据手册:下载IRF640NLPBF.pdf立即购买 数据手册 价格&库存 IRF640NLPBF 数据手册 PD - 95046 Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Ease of Pa...
IRF640NPBF国产替代产品 IRF640NPBF采购批发价格目录 1.概述 2.特性 概述 只做原装,只有原装! 特性 温控范围: 工作电流: 工作电压: 产品认证: 外型尺寸: 适用电机功率: IC百科 更多 ADS1248IPWR LM2931CDR2G LM2931CDR2G MSP430F155IRTDR EL1526ILZ-T13 NTLJF4156NT1G SLK2721IPZP VCA8500IRGCT TLV2474...
厂商: IRF 封装: 描述: IRF640NL - HEXFET Power MOSFET - International Rectifier 数据手册:下载IRF640NL.pdf立即购买 数据手册 价格&库存 IRF640NL 数据手册 PD - 94006A Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l ...