1 元器件交易网.cecb2b PD-94006 IRF640NIRF640NSIRF640NL AdvancedProcessTechnologylDynamicdv/dtRating l175°COperatingTemperaturelFastSwitching lFullyAvalancheRatedlEaseofParalleling lSimpleDriveRequirementsDescription l FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquesto...
IRF640N 概述 18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 功率场效应晶体管 IRF640N 规格参数 生命周期: Obsolete 包装说明: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 Reach Compliance Code: unknown ECCN代码: EAR99 风险等级: 5.05 外壳连接: DRAIN 配置: SINGLE 最小漏源击穿电压: 200 V 最大...
IRF640N 规格参数 是否Rohs认证: 不符合 生命周期: Obsolete 零件包装代码: TO-220AB 包装说明: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 针数: 3 Reach Compliance Code: unknown ECCN代码: EAR99 HTS代码: 8541.29.00.95 风险等级: 5.32 雪崩能效等级(Eas): 247 mJ 外壳连接: DRAIN 配置: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE ...
型号 IRF640N 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,也可...
型号 IRF640NLPBF 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,...
IRF640NSTRR;IRF640N;IRF640NL;中文规格书,Datasheet资料,kbp206中文资料规格书,datasheet中文网站,中文datasheet下载,中文datasheet,stm32 datasheet 中文,wm8960 中文datasheet,ra8875中文规格书,ov2710规格书 资料,pah8001中文规格书 文档格式: .pdf 文档大小: 252.88K 文档页数: 11页 顶/踩数: 0 / 0 ...
IRF640N产品信息: 200 v单个N通道红外MOSFET,采用- 220 ab封装 特征描述 面向广泛SOA的平面单元结构 优化从分销合作伙伴最广泛的可用性 产品质量符合JEDEC标准 硅优化应用开关以下<100kHz 行业标准通孔电源组件 高电流承载能力封装(最高195a,根据模具尺寸而定) ...
IRF640NPBF INFINEON/英飞凌 ￥1.23 IRF640NPBF中文资料规格参数 IRF640NPBF概述 类别:分离式半导体产品 家庭:MOSFET,GaNFET - 单 系列:HEXFET® FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准型 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:150 毫欧 @ 11A, 10V ...
IRF640NPBF中文参数 通道类型N最大功率耗散150 W 最大连续漏极电流18 A晶体管配置单 最大漏源电压200 V最大栅源电压-20 V、+20 V 封装类型TO-220AB每片芯片元件数目1 安装类型通孔高度8.77mm 引脚数目3系列HEXFET 最大漏源电阻值150 mΩ最低工作温度-55 °C ...
INFINEON IRF640NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V查看详情 TO-263-3 14周 在产 2004年 ¥1.964 数据手册(31) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (8) 反馈错误 by FindIC.com IRF640NSTRLPBF 全球供应商