IRF640NPBF中文参数 通道类型N最大功率耗散150 W 最大连续漏极电流18 A晶体管配置单 最大漏源电压200 V最大栅源电压-20 V、+20 V 封装类型TO-220AB每片芯片元件数目1 安装类型通孔高度8.77mm 引脚数目3系列HEXFET 最大漏源电阻值150 mΩ最低工作温度-55 °C ...
IRF640NPBF中文资料规格参数 IRF640NPBF概述 类别:分离式半导体产品 家庭:MOSFET,GaNFET - 单 系列:HEXFET® FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准型 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:150 毫欧 @ 11A, 10V 漏极至源极电压(Vdss):200V ...
从RS在线订购Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 18 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚 IRF640NSPBF或其他MOSFET并指定次日送货,可享受一流服务和大量电子元件享有更佳价格
IRF640NPBF 1千 国产品牌: JSMICRO/深圳杰盛微 参数说明: TO-220 描述: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB 包装: 50/管件 漏源电压(Vdss):200V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) QQ询价 实力保障交期保障 买家保障 深圳...
IRF640NPBF国产替代产品 IRF640NPBF采购批发价格目录 1.概述 2.特性 概述 只做原装,只有原装! 特性 温控范围: 工作电流: 工作电压: 产品认证: 外型尺寸: 适用电机功率: IC百科 更多 ADS1248IPWR LM2931CDR2G LM2931CDR2G MSP430F155IRTDR EL1526ILZ-T13 NTLJF4156NT1G SLK2721IPZP VCA8500IRGCT TLV2474...
IRF640NPBF 认证现货 厂商: INFINEON 封装/批号: N/A/22+ 库存: 5002 描述: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB 包装: 50/管件 漏源电压(Vdss):200V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) QQ询价 实力保障交期保障 买家保障 深圳...
IRF640NPBF认证现货厂商: INFINEON 封装/批号: TO-220/环保批次 库存: 10000 说明: 真实库存 代理现货 挂就有 描述: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB 包装: 50/管件 漏源电压(Vdss):200V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)...