品牌 国际整流器 批次 21+ 数量 9897 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -20C 最大工作温度 100C 最小电源电压 2V 最大电源电压 9V 长度 3.3mm 宽度 2.5mm 高度 2.7mm 可售卖地 全国 型号 IRF640NSTRLPBF 技术参数 品牌: IR/国际整流器 型号: IRF640NSTRLPBF 批次: 21+ ...
IRF640PBF 中文资料 SILICONIX 硅尼克斯 场效应管 选型指南 规格书 深圳市鲁克电子有限公司 查看详情 ￥0.1180/个 广东深圳 IRF640NLPBF 场效应管 英飞凌 封装TO-263 批次21+ 英飞凌品牌 深圳市汇创佳电子科技有限公司 1年 查看详情 ￥3.0000/个 广东深圳 IRF640L三极管200V18A场效应 TO262 N沟道 功率三...
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零件号别名 IRF640NLPBF SP001563296 单位重量 2.387 g 可售卖地 全国 型号 IRF640NLPBF 技术参数 品牌: Infineon/英飞凌 型号: IRF640NLPBF 封装: TO262 数量: 2007 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-262-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Ch...
零件号别名: IRF640NLPBF SP001563296 单位重量: 2.387 g IRF640NLPBF 场效应管 INFINEON 封装原厂封装 批号24+ 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。
Infineon(英飞凌)IRF640NSTRLPBF的中文参数 品牌：Infineon(英飞凌)产品分类：场效应管(MOSFET)封装：D2PAK 包装：圆盘 FET类型：N通道 技术：MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)：200V 25℃时电流-连续漏极(Id)：18A(Tc)驱动电压(最 大RdsOn,最小RdsOn)：10V 不同Id、Vgs时导通电阻(最 大值)：150毫欧@11A...
IRF640NSTRLPBF 场效应管 Infineon(英飞凌) 封装盘装 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注的抢购价...
IRF640NSTRLPBF 的产品特性 IRF640NSTRLPBF是一款N沟道功率MOSFET,具有以下主要特性: 1. 高电压和电流承受能力:IRF640NSTRLPBF的额定电压为高达200V,额定电流为9.2A,这使得它在高压应用中具有良好的性能表现。 2. 较低的导通电阻:该型号的导通电阻(R_DS(on))在10V的栅源电压下可低至0.18Ω,这意味着在传导状态...
保持类型: IRF640NSTRLPBF 安装类型: 卡入式 板间高度: IRF640NSTRLPBF 支撑孔直径: IRF640NSTRLPBF 封装: SOP/DIP 批号: ="2021" 数量: 1000000 产地: 广东 参数名: 参数值 说明: 大括号中填写参数名,例如产地,中 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等...
IRF640NLPBF 概述 HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET MOS管 功率场效应晶体管 IRF640NLPBF 规格参数 是否Rohs认证: 符合 生命周期: Active 包装说明: LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN Reach Compliance Code: compliant ECCN代码: EAR99 Factory Lead Time: 15 weeks 风险等级: 0.77 其他特性: ...