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型号 IRF5210 技术参数 品牌: IR 型号: IRF5210 封装: TO-263 批号: 20+ 数量: 10000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 3.5V 最大电源电压: 6.5V 长度: 2.6mm 宽度: 5.3mm 高度: 1.3mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格...
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IRF5210PBF Infineon (英飞凌) MOS管 P 通道功率 MOSFET 超过 8A,Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) ...
IRF5210PBF IRF5210 TO-220 100V 40A MOS管场效应管 深圳市科沅电子有限公司8年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.20 全新原装 IRF5210PBF MOS场效应管 IRF5210 100V/40A 直插TO-220 深圳市博源瑞达电子有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 ...
部件名IRF5210 下载IRF5210下载 文件大小125.28 Kbytes 页8 Pages 制造商IRF [International Rectifier] 网页http://www.irf.com 标志 功能描述PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.06ohm,Id=-40A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve ...
IRF5210 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf,D Ω G S TO-220AB θθθ ∆∆ Ω Ω Ω, D G S D G S ISD ≤≤≤ Ω 1000 1000 VGS VGS TOP - 15V TOP - 15V - 10V - 10V - 8.0V - 8.0V ) - 7.0V ) - 7.0V A - 6.0V A - 6.0V ( ( t - 5.5V
IRF5210场效应管参数如下:IRF5210PBF是一款P沟道场效应晶体管(MOSFET),主要参数包括: 额定电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):40A(Tc=25℃) 导通电阻(RdsOn):60毫欧@24A, 10V 栅源极阈值电压(Vgs(th)):4V@250μA 栅极电荷(Qg):180nC@10V 功率耗散(Pd):200W(Tc) 工作温度范围:-55℃~175℃(TJ) 封...
采芯网为用户提供IRF5210和IRF5210LPBF,IRF5210代替型号参数比较和详细的描述,给用户提供代替参考和对比信息。点击可查看IRF5210数据手册和IRF5210LPBF数据手册,IRF5210资料。型号IRF5210和IRF5210LPBF,IRF5210的区别:IRF5210 40A, 100V, 0.07ohm, P-CHANNEL, Si, POWE
ParametricsIRF5210 Budgetary Price €/1k0.7 ID(@25°C)max-40 A MountingTHT Ptotmax200 W PackageTO-220 PolarityP QG(typ @10V)120 nC Qgd64.7 nC RDS (on)(@10V)max60 mΩ RthJCmax0.75 K/W Tjmax175 °C VDSmax-100 V VGS(th)minmax-3 V -2 V -4 V ...