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IRF520NPBF Infineon (英飞凌) MOS管 N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管...
部件名IRF520N 下载IRF520N下载 文件大小116.9 Kbytes 页8 Pages 制造商IRF [International Rectifier] 网页http://www.irf.com 标志 功能描述PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.20Ohm,Id=9.7A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve ex...
IRF520N IRF520N HEXFET ® Power MOSFET PD - 91339A Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET ...
IRF520NSTRLPBF 全球供应商 全球供应商 (10家) 刷新货币单位:原货币USD-$ 美元RMB-¥ 人民币EUR-€ 欧元GBP-£ 英镑CAD-C$ 加币CHF-₣ 法郎HKD-$ 港币INR-RS 卢比JPY-¥ 日元KRW-₩ 韩元RUB-₽ 卢布TWD-$ 新台币 需求数量: -+
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型号 IRF520NPBF 技术参数 品牌: INFINEON/IR 型号: IRF520NPBF 封装: TO-220AB 批号: 19+ 数量: 1000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 4V 最大电源电压: 9.5V 长度: 1mm 宽度: 8.4mm 高度: 2.9mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价...