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型号:IRF1010EZPBF 封装/规格:TO-220AB 产品类型: MOS(场效应三极管) 品牌/产地:Infineon(英飞凌) 三极管类型:NPN 型号PN:IRF1010EZPBF 描述:漏源电压(VDSS) 60V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 75A(TC) 栅源极阈值电压 4V 流明 100UA 漏源导通电阻 8.5MΩ 流明 51A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 14...
IRF1010EZPBF-VB由VBsemi(微碧半导体)设计生产,立创商城现货销售。IRF1010EZPBF-VB价格参考￥3.59。VBsemi(微碧半导体) IRF1010EZPBF-VB参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):120A;输入电容(Ciss@Vds):6.8nF@25V;反向传输电容(Crss):325p
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|参考规格 参数名称参数值 最大连续漏极电流84 A 最大漏源电压60 V 封装类型TO-220AB 安装类型通孔 引脚数目3 最大漏源电阻值8.5 mΩ 通道模式增强 最大栅阈值电压4V 最小栅阈值电压2V 最大功率耗散140 W 晶体管配置单 最大栅源电压-20 V、+20 V ...
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