IPD90N04S4-04 特征描述 N 通道 - 增强模式 通过汽车 AEC 101 认证 MSL1 峰值回流温度高达 260°C 175°C 的工作温度 环保封装(符合 RoHS) 100% 经过雪崩测试 优势 低开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率 稳固的封装,出色的品质,高可靠性
Sales Product Name IPD90N04S4-04 OPN Info IPD90N04S404ATMA1 Product Status active and preferred Infineon Package name PG-TO252-3 Standard Package name DPAK Order online Buy online Completely lead free no ハロゲンフリー yes RoHS compliant yes Packing Size 2500 Packing Type TAPE & REE...
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型号 IPD90N04S4-04 PDF资料 电子管-MOSFET-IPD90N04S4-04-Infineon-TO-252-3-21+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上...
IPD90N04S404ATMA1 SP000646186 IPD9N4S44XT IPD90N04 单位重量: 4 g IPD90N04S4-04 集成电路(IC) Infineon 功耗低 电源电压 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协...
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90N04S404ATMA1, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装查看详情 TO-252-3 26周 在产 2010年 ¥3.688 数据手册(13) 器件3D模型 规格参数 更多代替型号 反馈错误 by FindIC.com IPD90N04S404ATMA1 全球供应商 ...
型号：IPD90N04S4-04 封装：BGA 批号：21+ 数量：10000 制造商：Infineon 产品种类：MOSFET RoHS：是 安装风格：SMD/SMT 封装 / 箱体：TO-252-3 通道数量：1 Channel 晶体管极性：N-Channel Vds-漏源极击穿电压：40 V Id-连续漏极电流：90 A Rds On-漏源导通电阻：4.1 mOhms Vgs - 栅极-源极电压：...
型号: IPD90N04S4L-04 封装: TO252-3 批号: 2020+ 数量: 5400 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 90 A Rds On-漏源导通电阻: 3.2 mOhms Vgs - ...
品牌 英飞凌 封装 Tray 批号 2023 数量 4204 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -40C 最大工作温度 130C 最小电源电压 2V 最大电源电压 6.5V 长度 7.1mm 宽度 6.9mm 高度 2.3mm 可售卖地 全国 型号 IPD90N04S4-04 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可...
IPD90N04S4-04 is an Automotive MOSFET offering 40V, N-Ch, 4.1 mΩ max, DPAK, OptiMOS™-T2, AEC Q101 qualified, 175°C operating temp, RoHS compliant.