IPD78CN10N G 英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 R Ds(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。 特征描述 优异的开关性能 世界较低的 (R Ds(on)) 极低的 Qg 和 Qgd...
1. 照明模块:IPD78CN10N G可应用于LED照明模块中的电源管理和驱动控制。其高电压和高电流能力使其能够提供可靠的功率开关和精确的照明调节。 2. 功率转换:由于IPD78CN10N G具有较低的导通电阻和高开关速度,可以应用于功率转换模块中的DC-DC转换器和逆变器。它能够提供高效的能量转换和稳定的电源输出。 3. 电动...
型号IPD78CN10N G丝印 VBE1106N品牌 VBsemi详细参数说明 极性 N沟道 额定电压 100V 额定电流 25A 开通电阻(RDS(ON)) 55mΩ @ 10V, 57mΩ @ 4.5V, 73mΩ @ 2.5V 额定栅极源极电压(Vgs) 20V (±V) 阈值电压(Vth) 1.4V 封装类型 TO252应用简介 IPD78CN10N G是一款N沟道MOSFET,具有高电压和高电流...
唯样商城为您提供Infineon设计生产的IPD78CN10N G 元器件,主要参数为:IPD78CN10NGATMA1_78mΩ 100V 13A DPAK (TO-252) -55°C~175°C N-Channel 3V,2V,4V,IPD78CN10N G库存充足,购买享优惠!
Infineon英飞凌公司完整型号:IPD78CN10N G 制造厂家名称:Infineon Technologies 描述:MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3 系列:OptiMOS? FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):100V 电流- 连续漏极 (Id)(25°C 时):13A(Tc) 不同Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):78 毫欧 ...
Model: IPD78CN10N G. Silk screen: VBE1106N. Brand: VBsemi. . Detailed parameter description: . - Polarity: N channel. - Rated voltage: 100V . - Rated current: 25A. - Turn-on resistance (RDS(ON)): 55mΩ @ 10V, 57mΩ @ 4.5V, 73mΩ @ 2.5V. - Rated gate-source voltage (Vgs...
IPD78CN10N G-VB由VBsemi设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IPD78CN10N G-VB 价格参考￥ 2.1965 。 VBsemi IPD78CN10N G-VB 封装/规格: TO-252-2(DPAK), 。你可以下载 IPD78CN10N G-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路...
Sales Product Name IPD78CN10N G OPN Info IPD78CN10NGATMA1 Product Status active Infineon Package name PG-TO252-3 Standard Package name DPAK Order online Buy online Completely lead free no Halogen free yes RoHS compliant yes Packing Size 2500 Packing Type TAPE & REEL Moisture Level 1 ...
Simulate ONLINE - IPD78CN10N - MOSFET Comparison - 48V Clamped Inductive Load Infineon Read More Infineon Designer is an online design- and prototyping engine combining analog (SPICE) and digital (MCU) simulation functionalities. Entwicklungstools pdf Tool Brief - Cross Reference Search for Power MOS...
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