IPD70N03S4L04ATMA1 集成电路 晶体管 全新原装芯片IC现货 睿智天成电子(深圳)有限公司 8年 集成电路 ic芯片 集成芯片 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥3.50 IPD70N03S4L-04全新原装TO-252-3 30V 70A 4.3m? N沟道MOS管 合科电子(深圳)有限公司 1年 月均发货速度: 暂无记录 广...
起订数 100个起批 500个起批 1000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 IPD70N03S4L-04、 Infineon、 SMD 商品图片 商品参数 品牌: Infineon 封装: SMD 批号: 21+ 数量: 5417 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格:...
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 逻辑电平门 漏源极电压(Vdss) : 30V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 70A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 4.3 毫欧 @ 70A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 2.2V @ 30µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 48nC @ 10V 不同Vds时的输...
IPD70N03S4L-04MOSFET OPTIMOS-T2 PWR-TRANS 30V 30A 13.6mOhms制造商 : Infineon Technologies Corporation 封装/规格 : TO-252 产品分类 : MOSFET Datasheet: IPD70N03S4L-04 Datasheet (PDF) RoHs Status: Rohs 丝印代码: 4N03L04 库存: 32560 Share: Pinterest LinkedIn WhatsApp Facebook Line X ...
IPD70N03S4L-04OptiMOS®-T2 Power-TransistorFeatures• N-channel - Enhancement mode• Automotive AEC Q101 qualified• MSL1 up to 260°C peak reflow• 175°C operating temperature• Green product (RoHS compliant)• Ultra low Rds(on)• 100%
Infineon Technologies A...IPD70N03S4L-04 192Kb/9PN-channel - Enhancement mode Rev. 2.1 2008-06-17 IPD70N03S4L-04 192Kb/9PN-channel - Enhancement mode Rev. 2.1 2008-06-17 More results Similar Description - IPD70N03S4L-04 ManufacturerPart #DatasheetDescription ...
价格 ¥ 0.99 起订数 1个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 IPD70N03S4L-04、 Infineon、 TO-252 商品图片 商品参数 品牌: Infineon 封装: TO-252 批号: 21+ 数量: 2500 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风...
型号 DMTH3004LK3-13 IPD70N03S4L-04 唯样编号 A-DMTH3004LK3-13 A-IPD70N03S4L-04 制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies 供应商 唯样自营 唯样自营 分类 通用MOSFET 功率MOSFET 描述 MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252 数据表 DMTH3004LK3.pdf IPD70N03S4L-04.pdf RoHs 无铅/...
IPD70N03S4L-04 Datasheet (PDF) ..1. Size:186K infineon ipd70n03s4l-04.pdf IPD70N03S4L-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 30 VDSR 4.3mDS(on),maxI 70 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak ...
包装: Digi-Reel® 可替代的包装 系列: OptiMOS™ FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 逻辑电平门 漏源极电压(Vdss) : 30V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 70A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 4.3 毫欧 @ 70A,10V ...