IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon (英飞凌) MOS管 Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管,可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最...
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 标准 漏源极电压(Vdss) : 60V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 180A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 1.7 毫欧 @ 100A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4V @ 200µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 270nC @ 10V 不同Vds时的输入电...
制造商编号 IPB180N06S4-H1 商品别名 IPB180N06S4H1ATMA2 制造商 Infineon(英飞凌) 唯样编号 A-IPB180N06S4-H1 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 1.7mΩ 60V 180A D2PAK-7,TO-263-7 N-Channel 2V,4V 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 IPB180N06S4-H1.pdf 参数信息...
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IPB180N06S4-H1MOSFET N-Channel 60V MOSFET制造商 : Infineon Technologies Corporation 封装/规格 : PG-TO263-7-3 产品分类 : MOSFET Datasheet: IPB180N06S4-H1 Datasheet (PDF) RoHs Status: Rohs 丝印代码: 4N06H1 库存: 2080 Share: Pinterest LinkedIn WhatsApp Facebook Line X 分享 对比产品...
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IPB180N06S4-H1 电子元器件 INFINEON/英飞凌 PDF 规格书 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标...
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MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 数据手册: 下载IPB180N06S4H1ATMA1.pdf 立即购买 数据手册 价格&库存 IPB180N06S4H1ATMA1 数据手册 下载PDF IPB180N06S4H1ATMA1 价格&库存 -> 查询更多价格&库存 很抱歉,暂时无法提供与“IPB180N06S4H1ATMA1”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货 ...