IPB048N15N5 综述 质量 支持 英飞凌推出的 OptiMOS™5 150V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。产品突破性地降低了 R DS(on)(与 SuperSO8 中的下一个理想替代品相比高达 25%)和 Q rr,而不影响 FOM gd 和 FOM OSS,从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。
IPB048N15N5 英飞凌推出的 OptiMOS™5 150V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。产品突破性地降低了 R DS(on)(与 SuperSO8 中的下一个理想替代品相比高达 25%)和 Q rr,而不影响 FOM gd 和 FOM OSS,从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。此外,超低反向恢复...
型号 IPB048N15N5LF 类型 N沟道 包装 卷 极性 N 封装 PG-TO263-3 漏源击穿电压 150V 导通电阻(10V) 4.80mΩ 标准QG(10V) 84.00nC 最小VGS(th) 3.30V 最大VGS(th) 4.90V 标准VGS(th) 4.10V 漏极电流 120.00A 数量 100k 批号 新年份 品牌 英飞凌 PDF资料 IPB048N15N5LF...
IPB048N15N5 全球供应商 全球供应商 (3家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 AiPCBA -296立即发货1RMB ¥税62.64062.64062.64062.64062.640购买 艾睿 香港2051RMB ¥税76.10851.78651.78651.78651.786购买 ...
IPB048N15N5 概述 英飞凌推出的 OptiMOS™5 150V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。产品突破性地降低了 R DS(on)(与 SuperSO8 中的下一个理想替代品相比高达 25%)和 Q rr,而不影响 FOM gd 和 FOM OSS,从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。此外,超低...
商品别名 IPB048N15N5 制造商 Infineon(英飞凌) 唯样编号 A-IPB048N15N5ATMA1 供货 自营 无铅情况/RoHs 不符合RoHs 描述 MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空...
型号 IPB048N15N5 技术参数 品牌: INFINEON 型号: IPB048N15N5 封装: TO-263 批号: 1720+ 数量: 2000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 4.5V 最大电源电压: 6V 长度: 5.1mm 宽度: 9.8mm 高度: 1.8mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具...
IPB048N15N5ATMA1更新时间:2025-01-24 19:16:20 品牌:INFINEON 描述:Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 PDF下载 中文翻译 PCB计价 ...
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Infineon Technologies MOSFET 生命周期状态: 量产中 ECCN:EAR99 HTSN:8541290095 产品文档 数据表 占用空间/符号/3D CAD信息 PCN/PDN(EOL)信息 规格 制造商名称 Infineon Technologies 制品名 IPB048N15N5ATMA1 制品分类 MOSFET 生命周期状态 量产中 RoHS ...