Home 产品分类 功率器件 Power MOSFET N-通道功率MOSFET IPB020N10N5LF IPB020N10N5LF 综述 指标参数 文件 订单 设计支持 视频 支持 将低RDS(on)与宽安全工作区(SOA)相结合 OptiMOS™线性FET是一种全新方法,实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻(R DS(on) )和线性模式能力的出色平衡。它提供先进的沟槽...
IPB020N10N5LF更新时间:2025-01-24 05:41:14 品牌:INFINEON 描述:OptiMOS™线性FET是一种全新方法,实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻(R DS(on) )和线性模式能力的出色平衡。它提供先进的沟槽栅MOSFET R DS(on)以及经典平面MOSFET的宽安全工作区。
品牌名称: 英飞凌 厂家型号: IPB020N10N5LF 封装规格: TO-263-3 包装方式: 编带 商品编号: INF0000285数据手册 商品参数 数据手册 用户评价(4000+) 选型手册 购买须知 属性 参数值 品牌 Infineon(英飞凌) 封装 TO-263-3 包装方式 编带 型号 IPB020N10N5LF 耗散功率(Pd) 313W 导通电阻(RDS(on)) 2...
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1个N沟道 耐压:100V 电流:180A SMT扩展库 PCB免费打样 描述 TO263;N—Channel沟道,100V;180A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=2.5~4.5V; 品牌名称 VBsemi(微碧半导体) 商品型号 IPB020N10N5LF-VB 商品编号 C21264523 商品封装 TO-263 ...
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IPB020N10N5LF Rev.2.1,2017-02-16 Final Data Sheet D²PAK D r a i n P i n 2 , T a b G a t e P i n 1 S o u r c e P i n 3 MOSFET OptiMOS TM 5LinearFET ,100V Features •Idealforhot-swapande-fuseapplications •Verylowon-resistanceR...
Datasheet:IPB020N10N5LFATMA1 Datasheet (PDF) RoHs Status:Lead free / RoHS Compliant 库存:5195 Share: 对比产品 数量 加入BOM询价 在线询价 温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通库存数量和价格回复结果。 发送询价 IPB020N10N5LFATMA1 产品详情 ...
手机唯样 功率MOSFET 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号IPB020N10N5LF 商品别名IPB020N10N5LFATMA1 制造商Infineon(英飞凌) 唯样编号A-IPB020N10N5LF 供货自营 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 数据手册发送到邮箱 ...
客服 购物车 确认库存 IPB020N10N5LFATMA1 型号:IPB020N10N5LFATMA1 品牌:Infineon英飞凌 描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 库存:0 单价: 1+: ￥91.958684 10+: ￥83.072411 100+: ￥68.776292 500+: ￥64.397313 1000+: ￥64.397313 货期:1-2天 数量: + - 单价:￥91.96总价:￥91.96 确认 ...