英诺赛科开发了 48V/120A BMS 评估板（INNDBMS120LS1），采用新品 100V 双向导通芯片 VGaN 实现充放电控制与保护，大幅减少 PCB 占板面积，降低系统成本。VGaN INV100FQ030A 是英诺赛科自研的新型功率器件，采用 4mmx6mm FCQFN 封装，支持双向导通，双向截止，导通电阻仅为 100V/3.2mΩ，同时具备无反向恢复...
針對 BMS 應用領域,英諾賽科開發了 48V/120A BMS 評估板(INNDBMS120LS4),採用新品 100V 雙嚮導通晶片 VGaN 實現充放電控制與保護,大幅減少 PCB 占板面積,降低系統成本。 VGaN INV100FQ030C 是英諾賽科自研的新型功率器件,採用 4mmx6mm FCQFN 封裝,支持雙嚮導通,雙向截止,導通電阻僅為 100V/3.2mΩ,同時具...
唯样编号 A-INV100FQ030A 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 INV100FQ030A.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 GaN晶体管 封装/外壳 FCQF...