Intel 10nm..能解,12代是单die设计,面积大,并且10nm ESF高频表现显著好于AMD用的台积电所谓7nm,就是功耗开始显著增加的拐点在更高的频率的位置。热功率和面积的比值显然是intel更小,可以猜测5.3
密度两者差不多,但tsmc的7nm主要是为移动端设计的,低频多核下能耗比OK,高频就不很行了,频率功耗曲线陡峭。牙膏的10 esf虽然低频不如,但高频能耗比很好,在动辄4 5ghz的频率区间完全不虚甚至更有优势。 来自Android客户端4楼2021-11-05 10:56 收起回复 qiyu...
这个参数会比 10nm、7nm 这种用于市场宣传的节点数字,更能够表达工艺先进性,虽然如前文提到的,这也已经不足以描述现如今的晶体管密度了。 其实单纯用这种方式去衡量密度的话,实际上台积电的 7nm 和三星的 7nm 都比 Intel 的 10nm 略微更密一些。这应该也是 Intel 期望重新定义晶体管密度计算方法的原因。不过这种...
Intel表示，这一代10nm FinFET拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，实现了业内最高的晶体管密度（每平方毫米晶体管数量超过1亿个），领先其他10nm整整一代。按计划，10nm Cannon Lake定于今年Q4率先登陆移动阵营，可能是Core m或者U系列低压产品，不过，它们仍旧隶属于8代酷睿。其实，Intel对于制程的命名是...
分析发现，Intel 10nm工艺使用了第三代FinFET立体晶体管技术，晶体管密度达到了每平方毫米1.008亿个(符合官方宣称)，是目前14nm的足足2.7倍！作为对比，三星10nm工艺晶体管密度不过每平方毫米5510万个，仅相当于Intel的一半多，7nm则是每平方毫米1.0123亿个，勉强高过Intel 10nm。至于台积电、GF两家的7nm，晶体管...
分析发现,Intel 10nm工艺使用了第三代FinFET立体晶体管技术,晶体管密度达到了每平方毫米1.008亿个(符合官方宣称),是目前14nm的足足2.7倍! 作为对比,三星10nm工艺晶体管密度不过每平方毫米5510万个,仅相当于Intel的一半多,7nm则是每平方毫米1.012...
分析发现，Intel 10nm工艺使用了第三代FinFET立体晶体管技术，晶体管密度达到了每平方毫米1.008亿个(符合官方宣称)，是目前14nm的足足2.7倍！作为对比，三星10nm工艺晶体管密度不过每平方毫米5510万个，仅相当于Intel的一半多点，7nm则是每平方毫米1.0123亿个，勉强高过Intel 10nm。至于台积电、GF两家的7nm，晶体...
题目不是很准确。Intel的N10比TSMC的N7密度略高，但比TSMC的N7+（采用EUV）密度低。18年发ppt开始被...
10NM密度101台积电5NM是171英特尔7NM则是202,相比较台积电5NM领先18%,现在叫英特尔4这个密度是14NM的5.38倍,晶体管密度提升一倍如果选择ZEN3-ZEN4方式,低密度冲击高频,那么14代起步6G档没什么太大问题如果选择高IPC,我感觉40%上下没什么问题毕竟从14NM过渡到10NM,同样是十个大核心规模【8+8=10大核面积】,IPC...
从图中可以看出,AMD现在用的12nm工艺在每瓦性能比上要比Intel 14nm工艺差,这点毫无疑问了,而7nm工艺在每瓦性能比就要领先了,而且比Intel的10nm工艺还要高一些,但并非高出高出很多。 对于这个问题,Intel之前也表示自家的10nm工艺要比对手的7nm更好,他们主要是对比了晶体管密度,10nm工艺就能实现每平方毫米1亿个晶体...