参见图1,是本发明实施例InGaP外延层的刻蚀方法的流程示意图。在本发明实施例中,InGaP外延层生长在衬底上。该刻蚀方法包括以下步骤: S11:采用化学气相沉积工艺在InGaP外延层上生长形成硅基薄膜层。 其中,如图2所示,InGaP外延层20生长在衬底10上,硅基薄膜层30形成在InGaP外延层20上。在本实施例中,衬底10的材料为GaAs、...
InGaP材料是制造黄光LED的经典材料之一。它是一种由铟、镓和磷组成的半导体材料,具有较小的能隙,能够发出黄色光。InGaP材料的制造过程中,需要控制材料的组成和材料的结构,以使黄光LED发出不同强度和色温的黄色光。InGaP材料制造的黄光LED在照明...
在InGaP中,铟、胺、镓和磷是四种主要原子,它们的不同直径和化学键作用力会影响晶格常数。此外,温度也是影响InGaP晶格常数的重要因素之一。随着温度的变化,晶体的原子会发生热振动,使得晶格常数发生微小的变化。这种温度依赖性可以通过热膨胀系数来描述,它表示晶格常数在温度变化下的相对变化率。 对于InGaP晶格常数的具体...
磷化铟镓.磷化铟镓放大器被广泛的应用于RF放大领域。在缝隙里gap是缝隙的意思
INGAP作为一个专门的学术术语，它的中文解释为"胰岛新生相关蛋白"，在学术研究中主要用于描述与胰岛细胞再生过程相关的蛋白质。这个缩写词在英语中的广泛使用，表明了它在相关领域的专业性和重要性。INGAP的分类属于Academic Science，具体应用可能涉及到胰岛素生产、糖尿病研究、以及可能的胰岛细胞疗法等领域。
Ingap晶格常数受多种因素影响,例如晶体的结构、原子的半径和相邻原子之间的相互作用力等。在Ingap中,铟、胺、镓和磷是四种主要原子,它们的不同直径和化学键作用力会影响晶格常数。 此外,温度也是影响Ingap晶格常数的重要因素之一。随着温度的变化,晶体的原子会发生热振动,使得晶格常数发生微小的变化。这种温度依赖性可以...
用于做到这一点的常用技术包括选择性湿法化学蚀刻,该蚀刻将在不蚀刻或损坏InGaP层的情况下移除GaAs层。确定用于移除GaAs层的选择性和蚀刻速率是化学湿法蚀刻发展的主要目标。一旦完成,就可以创建去除外延GaAs层的“配方”。 选择性化学湿法蚀刻 通过液体溶液中的一系列化学反应去除晶片的盖层。对于该蚀刻工艺,h2so 4∶...
摘要:在我们的研究中,我们使用通过低压金属有机化学气相沉积在半绝缘、Cr 掺杂、取向的 GaAs 衬底上生长的 InGaP 层。AsH3、PH3、TMGa(三甲基镓)和TMin(三甲基铟)分别用作As、P、Ga 和In 的来源。氢气用作载气,反应器中的总压力为5kPa。外延层在560°C 下制备,生长速率为 0.6 µm/hr。层的厚度范围从...
ING REEIF ING1 INGA INGAA InGaAs InGaAsP INGABO INGAF INGAN InGaP INGASA INGATS INGCAT INGCH INGE INGEB INGECOP INGEO INGEP INGER INGFCU INGG INGI INGID INGL INGM INGMHS INGO INGOA INGP INGRADA INGRES INGRH INGRID INGRMI ▼...
为此，我们开发了一种绝缘体上 InGaP (InGaPOI) 工艺，可以满足集成规模和兼容性的要求。我们展示了 InGaPOI 微环谐振器和 12.5 厘米长螺旋的晶圆级制造，其传播损耗低至 1.22dB/cm，固有品质因数在 1550nm 处大于 4 × 105，如图 1 所示，针对 100mm 晶圆上的器件进行了演示。这些结果详细介绍了绝缘体上 ...