主要技术指标: InGaAs/InP PIN 光电探测器芯片(以光敏直径 75 微米为例)的主要参数: 工作波长:1.30～1.55 微米; 工作电压:-5 伏 响应度:0.85～1.05A/W(在 1.31～1.55 微米); 暗电流:～0.5nA(10-9 安培) 响应时间:80～120ps (皮秒); 总电容:1.1pF (VR= -5V, f = 1MHz) 反向击穿电压:≥ 20 ...
GD4516YB 是一款高灵敏度大光敏元四象限光电探测模块,其采用 InGaAs 四象限 APD芯片与低噪声跨阻抗放大器混合集成。铟镓砷(InGaAs)高灵敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探测接收模块 详细介绍 GD4516YB 是一款高灵敏度大光敏元四象限光电探测模块,其采用 InGaAs 四象限 APD芯片与低噪声跨阻抗放大器混合集成。铟镓砷...
宽带InGaAs光电探测器 〖特性Features〗 n 宽带 n 低噪声 〖应用Applications〗 n 射频拉远 n 跟踪遥测及控制 n雷达电子 〖绝对最大值额定参数Absolute maximum rated parameter〗 〖性能参数Performance Parameter〗 参数Parameter符号Symbol条件Condition最小值Min.典型值Typ.最大值Max.单位Unit 饱和光功率PS——10—d...
大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片(高增益版 最大增益50) 产品总览 高性能正照平面型结构的InGaAs APD 光电二极管芯片系列,具有高响应度、高增益、低暗电流、低噪声和高可靠性等特点,可用于人眼安全激光雷达等领域。可提供APD 裸芯、TO 封装, 接受定制化服务开发。产品符合Telcordia-GR-468-CORE 可靠性要求。 产品特点...
2022年9月7-9日,在第24届中国国际光电博览会上,山西国惠光电科技有限公司将展出InGaAs可见-短波红外芯片、InGaAs短波红外相机系列产品, 诚挚邀请您莅临红外技术及应用展14号馆14E56、14E57展位参观、交流及业务洽谈。 欢迎扫描上方二维码登记领取观众证件,现场莅临展台面对面高效交流 ...
专利名称：高速InGaAs光电探测器芯片倒装集成结构及制作方法 专利类型：发明专利 发明人：崔大健,高新江,黄晓峰,樊鹏,董绪丰 申请号：CN201510000957.0 申请日：20150104 公开号：CN104538480A 公开日：20150422 专利内容由知识产权出版社提供 摘要：本发明提供一种高速InGaAs光电探测器芯片倒装集成结构，包括管芯和用于...
日本进口芯片InGaAs光电探测接收器PIN探测器光电管光电 日本进口芯片InGaAs光电探测接收器PIN探测器光电管接头FC/PC/APC ¥185 折后¥185 发货地: 重庆 风格: 日本 进口 芯片 InGaAs 光电 探测 接收器 PIN 探测器 光电管 图文详情 本店推荐 图文详情
本发明提供的高速InGaAs光电探测器芯片倒装集成结构中,所述管芯结构设计采用衬底面集成微透镜,增加光接收孔径,增大封装耦合容差;P电极和N电极同面引出且P极无延伸电极,减少寄生电容;N电极金属图形对称设计,便于倒装焊接时管芯受力均匀分布;载体倒装焊接位置图形采用对称分布设计,因而管芯与载体对准简单,可节省工艺时间,...
芯片 首页| 产品信息 | 红外探测器 InGaAs光电二极管 芯片 我们可根据应用需求提供InGaAs光电二极管芯片,芯片采用带有AR涂层平窗的TO系列封装。
上海派铼兹科贸有限公司是Laser Components,First Sensor,OSI Optoelectronics,WelchAllyn等光电二极管,激光二极管,探测器,光源,阵列,模组在中国的销售、技术支持、售后服务等市场活动中心,致力于提供高端光学元件及应用解决方案.