基于外部光照射后的物理效应,将光信号转换为电信号输出。当外部光照射到探测器的PN结上时,光子将被吸收并转化为电子-空穴对,电子和空穴将被分别吸引到PN结两侧,在外部电场的作用下形成电流输出。 二、InGaAs光电探测器制备工艺 制备工艺包括外延生长、芯片制备、器件封装等环节。其中外延生长采用分子束外延(MBE)或金属...